x射線多晶衍射法培訓(xùn)課件ppt(編輯修改稿)
2024-09-01 19:21 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 ] I?=Z+2Z+[4ZCZSsin（ RS） /RS]+2Zsin（ R’ S） / R’ S 即 I?=62+2?162+[4?6?16sin（ RS） /RS]+[2?162sin（ 2RS） /2RS] I’?=（ I? –62– 2?162） /16?8=[2sin（ 2RS） +3sin（ RS） ]/RS SCS RR ? ??? ??I’?對 RS作圖 I’?(I?)最大處的 (RS)i = 。 。 計算得 : Ri = (RS)i /Si = 153pm。 155pm。 157pm 平均 R=155177。 1pm 167。 電子衍射法簡介 低能電子衍射法在表面分析中的應(yīng)用 LEED（ Low Energy Electron Diffraction） 能量為 10~1000eV的低能電子射線波長為 400~40pm，相當(dāng)于或小于晶體中原子間距 ， 晶體可以對它產(chǎn)生衍射 。但由于電子穿透能力較差 ，所以這個能量范圍內(nèi)產(chǎn)生的衍射只是來自晶體內(nèi) 500~ 1000 pm的深度的電子散射（ 相當(dāng)于表面幾層原子 ） 。 表 面 分 析 Ni (100) 晶體表面 低能電子衍射圖 表面格子 167。 電子衍射法簡介 167。 X射線熒光光譜分析 X射線熒光分析方法及應(yīng)用 X射線 原子 熒光 (特征 X射線 ) 莫斯萊定律及定性分析方法 莫斯萊（ moseley)定律 ? = k（ Zs） 2 特征波長 ?與原子序數(shù) Z關(guān)系是定性分析的基礎(chǔ) 167。 X射線熒光光譜分析 Mo（ Z=42）：（特征波長 ?和相對強(qiáng)度 I ) K?1（ ） 100 ； L?1（ ） 100； K?2（ ） 50 ； L?2（ ） 12； K?1（ ） 14； L?1（ ） 50。 不同元素的同名譜線波長變化規(guī)律： K?1 線 Fe（ Z=26）為 ； Cu（ Z=29）為 ； Ag（ Z=47）為 ； Pb（ Z=82）為 167。 X射線熒光光譜分析 定量分析 在指定波長下， X射線熒光強(qiáng)度與被測元素的含量成正比，是 定量分析 的依據(jù)。 [1]基體效應(yīng) : 基體指被分析元素以外的主量元素，而基體效應(yīng)是指樣品中基本化學(xué)組成以及物理、化學(xué)狀態(tài)變化，對分析譜線強(qiáng)度的影響。 （ 1）影響定量分析因素 a、用輕元素作稀釋物與試樣混合均勻的稀釋法；b、將樣品制得很薄的薄膜樣品法； c、用標(biāo)樣作工作曲線來校正的。 167。 X射線熒光光譜分析 [2]不均勻效應(yīng) : 對于多相合金、粉末等不均勻材料， X射線熒光強(qiáng)度與顆粒大小有關(guān)，顆粒大吸收大，顆粒小熒光強(qiáng)。
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