電學(xué)半導(dǎo)體器件原理簡(jiǎn)明教程習(xí)題答案傅興華(編輯修改稿)
2025-07-20 23:23 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 (2)(3)(4)(5) 硅npn晶體管的材料參數(shù)和結(jié)構(gòu)如下：發(fā)射區(qū)基區(qū)集電區(qū)計(jì)算晶體管的發(fā)射結(jié)注入效率，基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)，計(jì)算復(fù)合系數(shù)，并由此計(jì)算晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)。解 已知npn非均勻基區(qū)晶體管的有關(guān)參數(shù)為,電子擴(kuò)散系數(shù),本征基區(qū)方塊電阻,計(jì)算其電流放大系數(shù).解 基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)（基區(qū)寬度，基區(qū)少子擴(kuò)散長(zhǎng)度）,發(fā)射結(jié)注入效率(amp。發(fā)射區(qū)和基區(qū)的方塊電阻)發(fā)射結(jié)復(fù)合系數(shù)共基極直流電流放大系數(shù)=共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)= 硅晶體管的標(biāo)稱耗散功率為20W,總熱阻為,滿負(fù)荷條件下允許的最高環(huán)境溫度是多少?（硅，鍺）解 最大耗散功率 滿負(fù)荷條件下有，其中 晶體管穿通后的特性如何變化?某晶體管的基區(qū)雜質(zhì)濃度,集電區(qū)的雜質(zhì)濃度,基區(qū)的寬度,集電區(qū)寬度,求晶體管的擊穿電壓.解 集電極電流不再受基極電流的控制，集電極電流的大小只受發(fā)射區(qū)和集電區(qū)體電阻的限制，外電路將出現(xiàn)很大的電流。穿通電壓，冶金基區(qū)的擴(kuò)展 簡(jiǎn)要說(shuō)明JFET的工作原理解 N溝道和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理完全相同，現(xiàn)以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例，分析其工作原理。N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管工作時(shí)也需要外加偏置電壓，即在柵源極間加一負(fù)電壓()，使柵源極間的結(jié)反偏，柵極電流，場(chǎng)效應(yīng)管呈現(xiàn)很高的輸入電阻(高達(dá)108左右)。在漏源極間加一正電壓()，使N溝道中的多數(shù)載流子電子在電場(chǎng)作用下由源極向漏極作漂移運(yùn)動(dòng)，形成漏極電流。的大小主要受柵源電壓控制，同時(shí)也受漏源電壓的影響。因此，討論場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理就是討論柵源電壓vGS對(duì)漏極電流（或溝道電阻）的控制作用，以及漏源電壓對(duì)漏極電流的影響。 n溝道JFET有關(guān)材料參數(shù)和結(jié)構(gòu)是：，溝道寬度是Z=，溝道長(zhǎng)度，溝道厚度是，計(jì)算(1)柵結(jié)的接觸電勢(shì)差；(2)夾斷電壓；(3)冶金溝道電導(dǎo)；(4)和時(shí)的溝道電
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