有關有機半導體器件的電學性能研究與探討(編輯修改稿)
2025-06-17 19:34 本頁面
【文章內容簡介】 用。所以，有機半導體器件對所用有機半導體材料有兩點要求 : ? (l)、高遷移率； (2)、低本征電導率。 ? 高的遷移率是為了保證器件的開關速度，低的本征電導率是為了盡可能地降低器件的漏電流，從而提高器件的開關比。用作有機半導體器件的有機半導體材料按不同的化學和物理性質主要分為三類 :一是高分子聚合物，如烷基取代的聚噬吩 。二是低聚物，如咪嗯齊聚物和噬吩齊聚物 。三是有機小分子化合物，如并苯類， C6。，金屬酞著化合物，蔡，花，電荷轉移鹽等。 二、制作有機半導體器件的常用技術 ? 有機半導體性能的好壞多數決定于半導體制作過程因此實驗制備技術就顯得尤為重要。下面將對一些人們常用器件制備的實驗技術做簡要的介紹： ? (1)、真空技術。它是目前制備有機半導體器件最普遍采用的方法之一，主要包括真空鍍膜、濺射和有機分子束外延生長 (OMBE)技術。 ? (2)、溶液處理成膜技術。它被認為是制備有機半導體器件最有發(fā)展?jié)摿Φ募夹g，適用于可溶性的有機半導體材料。常用的溶液處理成膜技術主要包括電化學沉積技術、甩膜技術、鑄膜技術、預聚物轉化技術、分子自組裝技術、印刷技術等。 三、有機半導體器件的場效應現(xiàn)象 ? 為了便于說明有機半導體器件的場效應現(xiàn)象，本文結合有機極性材料制作有機半導體器件對薄膜態(tài)有機場效應進行分析。試驗中，將有機極性材料經過真空熱蒸鍍提純之后溶在 DMF溶液中，濃度是 20Omg/ml，使用超聲波清洗機促進它們充分并且均勻的溶解，經過真空系統(tǒng)中沉積黃金薄膜作為器件的源極和漏極。在類似條件下，在玻璃襯底上制作了極性材料的薄膜形態(tài)晶粒，研究發(fā)現(xiàn)： ?
環(huán)評公示相關推薦
鄂ICP備17016276號-1