[工學]半導體器件基本原理(編輯修改稿)
2025-11-12 18:27 本頁面
【文章內容簡介】 Si Si Si Btongyibin ?這種以空穴導電作為主要導電方式的半導體稱為空穴型半導體或 P（ Positive）型半導體。多數載流子為空穴。 tongyibin 對比 P型半導體和 N型半導體 P型和 N型半導體的對比 P N 摻雜材料 空穴和電子濃度 多數載流子類型 3價元素 5價元素 空穴濃度高 電子濃度高 空穴 電子 tongyibin 為什么要對半導體采用攙雜工藝 1. 攙雜半導體的載流子濃度主要取決于攙雜類型和比例，與本征激發(fā)載流子相比，受溫度的影響相對小得多，因此工作溫度范圍寬、性能穩(wěn)定。 2. 隨著溫度的升高，半導體材料的本征激發(fā)越來越強，本征激發(fā)載流子的濃度也越來越高。 3. 當本征激發(fā)載流子濃度與攙雜載流子濃度達到可比擬的程度時，會出現(xiàn)什么現(xiàn)象？ －－半導體材料和器件將失效 －－溫度是影響電力電子器件性能的一個十分重要的環(huán)境因素 tongyibin 1) 空穴到底是什么？ 2) 攙雜半導體中，電子空穴還是成對產生的嗎？ 3) N型半導體中的自由電子多于空穴， P型半導體中的空穴多于自由電子，是否 N型半導體帶負電， P型半導體帶正電？ 4) P、 N型半導體中是否存在 “ 凈 ” 電荷或是靜電場？ 作業(yè) （ 3月 21日 14點 10分前交） tongyibin PN結 注意： PN結不可能通過將 P型半導體和 N型半導體壓在一起而形成。 在同一片半導體基片上，分別制造 P型半導體和N型半導體，經過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了 PN結。 怎樣才能實現(xiàn) PN半導體的“緊密”接觸？ 在“緊密”接觸的 PN結區(qū)域，會發(fā)生什么？ tongyibin P N空穴擴散電子擴散＋－＋－＋－＋－＋－＋＋＋＋＋－－－－－內電場tongyibin P型和 N型半導體相鄰； 由于兩者空穴和電子濃度的差別，電子和空穴在交界處產生擴散運動； 擴散到對方的載流子由于濃度較低，稱為少數載流子； P型區(qū)由于空穴的擴散，留下帶負電的原子，而 N型區(qū)由于電子的擴散，留下帶正電的原子； PN結的形成 tongyibin 由于帶電的原子被束縛在晶格結構中無法移動，因此在交界面附近將形成一個空間電荷區(qū)，由于該空間電荷區(qū)的載流子已擴散
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