sputter基本原理培訓(xùn)(編輯修改稿)
2025-02-06 12:28 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 放電。 輝光放電： 第二章 等離子體 20 陰極輝光區(qū) 陰極暗區(qū) 負(fù)輝光區(qū) 法拉第暗區(qū) 正柱區(qū) 0 電壓 空間靜電荷 兩極區(qū)間 輝光放電示意圖 在真空室內(nèi)安置兩個(gè)電極。 通入壓力為 103~102Pa的氣體（通常是 Ar）。 在電極上加上高電壓。 輝光放電 產(chǎn)生 等離子體 輝光放電： 目錄 第一章 真空 第二章 等離子體 第四章 反應(yīng)性濺射 第五章 濺射鍍膜設(shè)備 第六章 濺射靶及靶材配置 21 第三章 濺射原理 第三章 濺射原理 1（濺射電源） 22 直流濺射： 用于導(dǎo)電靶 中頻濺射： 用于導(dǎo)電靶 射頻濺射： 用于絕緣靶 不同的濺射電源： 第三章 濺射原理 2（直流濺射） 23 Pumping system target Power supply Plasma substrate Gas Ar _電場 +電場 輝光效應(yīng) 31 直流濺射示意圖 直流濺射原理圖： 第三章 濺射原理 2（直流濺射） 濺射氣體應(yīng)當(dāng)具備的特性： ? 對靶材程惰性； ? 濺射率高； ? 價(jià)格便宜； ? 來源方便； Ar為較理想的選擇 為什么？ 濺射氣體的選擇： 第三章 濺射原理 2（直流濺射） 大氣成分 分子量 干潔空氣中的含量 （ %） 氮 N2 氧 O2 氬 Ar 二氧化碳 CO2 氖 Ne 103 氦 He 104 甲烷 CH4 104 氪 Kr 104 氧化氮 N2O 104 氫 H2 104 氙 Xe 105 臭氧 O3 106 濺射氣體的選擇： ，不會(huì)和靶材發(fā)生化學(xué)反應(yīng)； ，濺射率高； Kr、 Xe方便，價(jià)格相對便宜； 第三章 濺射原理 3（磁控濺射） 26 32 磁控濺射示意圖 低溫 高速 磁控濺射： 第三章 濺射原理
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