sputter基本原理培訓(完整版)
【正文】 第四章 反應性濺射 第六章 濺射靶及靶材配置 34 第五章 濺射鍍膜設(shè)備 第五章 濺射鍍膜設(shè)備 35 51 濺射鍍膜設(shè)備 第五章 濺射鍍膜設(shè)備 36 52 濺射鍍膜設(shè)備示意圖 C1 C2 C3 C6 C5 1 6 5 4 3 2 7 8 AZO Ag預留 Al Al NiV C7 各個腔室底壓要求： 1. 上下料腔室底壓： C1/C7≤ 1 x 103 mbar 2. 緩沖腔室底壓 ： C2/C6≤ 3 x 106 mbar 3. 傳輸腔室底壓 ： C3/C5≤ x 106 mbar 4. 工藝腔室底壓 ： C4/1?C4/8≤ x 106 mbar 目錄 第一章 真空 第二章 等離子體 第三章 濺射原理 第四章 反應性濺射 第五章 濺射鍍膜設(shè)備 37 第六章 濺射靶及靶材配置 第六章 濺射靶及靶材的配置 38 61 平面靶 62 圓柱靶 第六章 濺射靶材及靶材的配置 39 圓柱靶與平面靶利用率比較 第六章 濺射靶材及靶材的配置 40 63 靶材配置示意圖 C1 C2 C3 C6 C5 1 6 5 4 3 2 7 8 AZO Ag預留 Al Al NiV C7 第六章 濺射靶材及靶材的配置 41 SPUTTER沉積工藝 膜層 沉積速率 沉積厚度 膜厚均勻性 面電阻 面電阻均勻性 透光率 AZO 200nm*m/min 100177。 在電極上加上高電壓。等離子體是一種很好的導電體，呈準中性狀態(tài)。 阻抗匹配的兩種情況： 1. 純電阻電路負載等于電源內(nèi)阻； 2. 當電源和負載含有阻抗成分時就必須滿足共軛關(guān)系，即電阻成分相等，電抗成分數(shù)值相等而符合相反，這種匹配就是共軛匹配。 5% 12 [Ω/□] 5% 無 注：此參數(shù)是暫行確定，具體參數(shù)根據(jù)實際情況可能會有改動 。 目錄 第一章 真空 第二章 等離子體 第三章 濺射原理 第五章 濺射鍍膜設(shè)備 第六章 濺射靶及靶材配置 31 第四章 反應性濺射 第四章 反
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