sputter基本原理培訓(參考版)
2025-01-13 12:28本頁面
【正文】 膜層參數(shù)： 講解結(jié)束 講解結(jié)束，謝謝！ 42 。 5nm 5% [Ω/□] 5% 無 NiV 100nm*m/min 50177。O2 _電場 +電場 Ar+ O Zn （ Zn） 反應性濺射： 目錄 第一章 真空 第二章 等離子體 第三章 濺射原理 第四章 反應性濺射 第六章 濺射靶及靶材配置 34 第五章 濺射鍍膜設(shè)備 第五章 濺射鍍膜設(shè)備 35 51 濺射鍍膜設(shè)備 第五章 濺射鍍膜設(shè)備 36 52 濺射鍍膜設(shè)備示意圖 C1 C2 C3 C6 C5 1 6 5 4 3 2 7 8 AZO Ag預留 Al Al NiV C7 各個腔室底壓要求： 1. 上下料腔室底壓： C1/C7≤ 1 x 103 mbar 2. 緩沖腔室底壓 ： C2/C6≤ 3 x 106 mbar 3. 傳輸腔室底壓 ： C3/C5≤ x 106 mbar 4. 工藝腔室底壓 ： C4/1?C4/8≤ x 106 mbar 目錄 第一章 真空 第二章 等離子體 第三章 濺射原理 第四章 反應性濺射 第五章 濺射鍍膜設(shè)備 37 第六章 濺射靶及靶材配置 第六章 濺射靶及靶材的配置 38 61 平面靶 62 圓柱靶 第六章 濺射靶材及靶材的配置 39 圓柱靶與平面靶利用率比較 第六章 濺射靶材及靶材的配置 40 63 靶材配置示意圖 C1 C2 C3 C6 C5 1 6 5 4 3 2 7 8 AZO Ag預留 Al Al NiV C7 第六章 濺射靶材及靶材的配置 41 SPUTTER沉積工藝 膜層 沉積速率 沉積厚度 膜厚均勻性 面電阻 面電阻均勻性 透光率 AZO 200nm*m/min 100177。以使射頻功率有效地輸入到設(shè)備內(nèi)。 第三章 濺射原理 4（射頻濺射） 30 阻抗匹配： ~ 射頻電源 匹配網(wǎng)絡(luò) 反應腔室 35 可調(diào)匹配網(wǎng)絡(luò) ? 由于射頻濺射設(shè)備的放電阻抗大多為 10KΩ，射頻
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