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正文內(nèi)容

雙極型半導(dǎo)體器件習(xí)題(編輯修改稿)

2025-06-17 20:48 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 集電極電流 ic為 。穿透電流 ICEO為 ,電流放大系數(shù) 223。= 40,求基極電流 ib和發(fā)射極電流 ie。 解 因?yàn)?ic= 223。i b+ICEO 所以 ib=icICEO /223。=()mA/40=35181。A ie=ic+ib=+= 例 17 用直流電壓表測(cè)某電路中三只晶體管的三個(gè)電極對(duì)地的電壓,其數(shù)值如圖 115所示。試指出每只晶體管的 E、 B、 C三個(gè)極,并說(shuō)明該管是硅管還是鍺管。 1 2 3 1 2 3 1 2 3 6V 6V 0V 3V 5V 6V 1V 2V 3V)a )b )c圖 115 例 17圖 管的 2V VVVUUU EBBE )(0 ?????? 2V 管是 NPN型硅管 三個(gè)極: 1為 B; 2為 E; 3為 C 3V管的 VVVUUUEBBE ?????? 3V管是 PNP型鍺管 三個(gè)極: 2為 B; 1為 E; 3為 C 解 在正常工作的情況下 NPN型硅管發(fā)射結(jié)的直流壓降為 = ; PNP型鍺管 = 。 BEUBEU1V1V 管的 .)3( VVVUUU EBBE ??????? 可見(jiàn) 是 NPN硅管。 三個(gè)極: 2為 B; 3為 E; 1為 C 11 本征半導(dǎo)體摻入五價(jià)元素成為 ( ) a) 本征半導(dǎo)體 b) N行半導(dǎo)體 c) P行半導(dǎo)體 12 N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是 ( ) a) 電子 b)空穴 c)正離子 d)負(fù)離子 b a 13 P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是( ), N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是( ) a) 自由電子 b) 空穴 14 PN節(jié)中擴(kuò)散電流的方向是( ) ,漂移電流的方向( ) a) 從 P區(qū)到 N區(qū) b) 從 N區(qū)到 P區(qū) b a b a15 當(dāng) PN結(jié)正偏時(shí) , 空間電荷中載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)相比 ( ) a) 前者強(qiáng)于后者 b) 后者強(qiáng)于前者 c) 二者平衡 16 PN未加外部電壓時(shí) , 擴(kuò)散電流 ( )漂移電流。 a) 大于 b) 小于 c) 等于 17 二級(jí)管的正向電阻( ),反向電阻( )。 a) 大 b) 小 18 鍺二極管的導(dǎo)通電壓( ),死區(qū)電壓( )。 硅二極管的導(dǎo)通電壓( ),死區(qū)電壓( )。 a) b) c) d) a c b ac b a d 19 二極管的導(dǎo)通條件是 ( ) a) u D 0 b) uD死區(qū)電壓 c) uD 擊穿電壓 d) uD 死區(qū)電壓 110 當(dāng)溫度升高后 , 二極管的正向電壓 ( ), 反向電流 ( )。 a) 增大 b) 減小 c) 基本不變 111 穩(wěn)壓管( ) a1) 是二極管 b1)不是二極管 c1)是特殊的二極管 穩(wěn)壓管工作在( )狀態(tài)。 a2)正向?qū)? b2)反向截止 c2) 反向擊穿 b cb a c
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