雙極型半導體器件習題(編輯修改稿)
2025-06-17 20:48 本頁面
【文章內容簡介】 集電極電流 ic為 。穿透電流 ICEO為 ，電流放大系數 223。＝ 40，求基極電流 ib和發(fā)射極電流 ie。 解 因為 ic＝ 223。i b+ICEO 所以 ib=icICEO /223。=()mA/40=35181。A ie=ic+ib=+= 例 17 用直流電壓表測某電路中三只晶體管的三個電極對地的電壓，其數值如圖 115所示。試指出每只晶體管的 E、 B、 C三個極，并說明該管是硅管還是鍺管。 1 2 3 1 2 3 1 2 3 6V 6V 0V 3V 5V 6V 1V 2V 3V)a )b )c圖 115 例 17圖 管的 2V VVVUUU EBBE )(0 ?????? 2V 管是 NPN型硅管 三個極： 1為 B； 2為 E； 3為 C 3V管的 VVVUUUEBBE ?????? 3V管是 PNP型鍺管 三個極： 2為 B； 1為 E； 3為 C 解 在正常工作的情況下 NPN型硅管發(fā)射結的直流壓降為 = ； PNP型鍺管 = 。 BEUBEU1V1V 管的 .)3( VVVUUU EBBE ??????? 可見 是 NPN硅管。 三個極： 2為 B； 3為 E； 1為 C 11 本征半導體摻入五價元素成為 ( ) a) 本征半導體 b) N行半導體 c) P行半導體 12 N型半導體的多數載流子是 ( ) a) 電子 b)空穴 c)正離子 d)負離子 b a 13 P型半導體中的多數載流子是（ ）， N型半導體的多數載流子是（ ） a) 自由電子 b） 空穴 14 PN節(jié)中擴散電流的方向是（ ） ,漂移電流的方向（ ) a) 從 P區(qū)到 N區(qū) b) 從 N區(qū)到 P區(qū) b a b a15 當 PN結正偏時 , 空間電荷中載流子的擴散運動和漂移運動相比 ( ) a) 前者強于后者 b) 后者強于前者 c) 二者平衡 16 PN未加外部電壓時 , 擴散電流 ( )漂移電流。 a) 大于 b) 小于 c) 等于 17 二級管的正向電阻（ ），反向電阻（ ）。 a) 大 b) 小 18 鍺二極管的導通電壓（ ），死區(qū)電壓（ ）。 硅二極管的導通電壓（ ），死區(qū)電壓（ ）。 a) b) c) d) a c b ac b a d 19 二極管的導通條件是 ( ) a) u D 0 b) uD死區(qū)電壓 c) uD 擊穿電壓 d) uD 死區(qū)電壓 110 當溫度升高后 , 二極管的正向電壓 ( ), 反向電流 ( )。 a) 增大 b) 減小 c) 基本不變 111 穩(wěn)壓管（ ） a1) 是二極管 b1)不是二極管 c1)是特殊的二極管 穩(wěn)壓管工作在（ ）狀態(tài)。 a2)正向導通 b2)反向截止 c2) 反向擊穿 b cb a c
畢業(yè)設計相關推薦
鄂ICP備17016276號-1