ch113-7靜電場(chǎng)中的電介質(zhì)(編輯修改稿)
2025-05-30 18:40 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 － － － － － ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ ＋ － 14 例： 充滿均勻介質(zhì)的平行板電容器 0?????E000 ???E000 ?? ?????? EEEE,0 EPP n ??? ??????? 10EE r?? ＝＋令 1 rEE?0 ?則極化場(chǎng)）—外場(chǎng)；—總場(chǎng)；— EEEEEE ?????? ???? 00 ( )1(rEE?02???）（ 條件：當(dāng)介質(zhì)充滿整個(gè)場(chǎng)，或不同介質(zhì)分區(qū)充滿，二介質(zhì)界面為等勢(shì)面。 均勻電介質(zhì)充滿電場(chǎng)時(shí)，電介質(zhì)內(nèi)部的場(chǎng)強(qiáng)比自由電荷所產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)要小，且為原來的 1/?r 倍。 ??? ? ? ? ?? ?? ? ? ? ? ? ? ? ?0??0?????0E????E??15 ??? ???SSqSdPE 00 )(????二、電位移矢量、有電介質(zhì)時(shí)的高斯定律 ??? ???SSqqSdE )(1 39。00?????? ???SSqSdP 39。??? 定義： PEDd e f ????? 0?電位移矢量 electric displacement 自由電荷 束縛電荷 根據(jù)介質(zhì)極化和 真空中高斯定律 ????? ????SSSSdPqSdE????00011??16 電場(chǎng)線起始于正電荷終止于負(fù)電荷。 包括自由電荷和與束縛電荷。 ??? ???SSqSdPE 00 )( ???? PED d e f ??? ??0?????? ??VeSdVSdD ???自由電荷 通過任一閉合曲面的電位移通量，等于 該曲面內(nèi)所包圍的自由電荷的代數(shù)和。 物理意義 包含真空情況）可見介質(zhì)中的高斯定理即則（真空時(shí)， . ..000000???qSdEqSdEEDPSS?????????????????eD ?????該積分方程的微分形式： 17 EP ??0???EEEEPED r ??????? ???????? 00000 )1( ???????則2. 對(duì)真空 ED ??0??回到真空中的高斯定理 ,0?? ?P討論 : EED r ??? ??? ＝即 0 ?1. 為輔助物理量 線從 自由正電荷 出發(fā)，終止于 自由負(fù)電荷。 ???D?D?線 E? 線 D?18 4. 此高斯定理與第九章的高斯定理都是普遍適用的 . 0qSdDS?? ?? ???? ??SqSdE0????? ??SqSdD 0 ??利用5. 優(yōu)點(diǎn)： (不出現(xiàn) q?)， 可使介質(zhì)中場(chǎng)強(qiáng)的計(jì)算問題大為簡(jiǎn)化，在有一定 對(duì)稱的情況下 , 先由它求出 ,D?再由 ED ?? ?? 求出 E?EDq ?? ??0求法： ★★ 注意： 閉合面上電位移矢量 的通量只與面內(nèi)自由電荷 q0 有關(guān) , 但并不意味著 只由 q0 產(chǎn)生 . 因?yàn)? 的通量和 本身是兩個(gè)不同的概念。 D?D?D?D?19 三、靜電場(chǎng)的性能方程 EP ?? 0???因：EEEEEPED r ???????? ????????? ???????? 00000 )1(有0 qSdESdESdDS SS?????? ?? ????????????則，ED ?? ?? 即，—— 靜電場(chǎng)的性能方程 ?0 , qSdES??????即rqUrqE 02041。41???? ??例如：點(diǎn)電荷在介質(zhì)場(chǎng)中： 故上一章中各公式，若有介質(zhì)時(shí)，只需 ?0 ? ，而 q0 （自由 電荷）不變，即可。 20 解： (1) 因電荷及介質(zhì)分布的球
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