led檢測(cè)技術(shù)1緒論及第一講(編輯修改稿)
2025-05-28 18:23 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 （－ 273． 16攝氏度）的物體都不斷地輻射著紅外線。紅外熱像儀就是利用紅外探測(cè)器、光學(xué)成像物鏡接收被測(cè)目標(biāo)的紅外輻射信號(hào)，經(jīng)過紅外光學(xué)系統(tǒng)和紅外探測(cè)器顯示紅外熱圖像。通過探測(cè)微小的溫度差別，產(chǎn)生的圖像是熱圖像。 生長(zhǎng)過程檢（監(jiān)）測(cè)技術(shù) 3 生長(zhǎng)膜厚的在線監(jiān)測(cè) 生長(zhǎng)速率、成膜質(zhì)量等 原理：多光束干涉 P型材料層 發(fā)光層 基片 N型材料層 外 延 層 基片厚度： 430um 外延層厚度： 5~8um 外延片的檢測(cè)技術(shù) 一、 表面反射率分析（ PR: Photo Reflectivity） 測(cè)試外延片表面的粗糙程度 GaN 入射光 反射光 GaN 入射光 反射光 光滑表面： 粗糙表面： 反射光 反射光 ≈17% ≈1~10 % 外延片的檢測(cè)技術(shù) 二 光致發(fā)光光譜（ PL， Photoluminescence) 1. 基本原理 光致發(fā)光是半導(dǎo)體的一種發(fā)光現(xiàn)象，利用光照射到材料表面，其電子吸收光子而躍遷到高能級(jí)，出于高能級(jí)的電子不穩(wěn)定，會(huì)回落到低能級(jí)，同時(shí)伴隨著能級(jí)差的能量以光輻射的形式發(fā)射出來。這個(gè)過程就是光致發(fā)光，即 PL。 Eg ?h Eg k k E E 直接躍遷 間接躍遷 PL maping 系統(tǒng) Source Shutter NDF Top Mirror Beam Splitter Objective Lens Sample Grating Filter Detector Source: For 藍(lán)光－ UV2
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