led檢測技術1緒論及第一講-資料下載頁
2025-05-01 18:23本頁面
【正文】 有帶正電的空穴。 霍爾效應分析儀作為測定半導體材料的電磁特性的儀器可以得到材料的載流子濃度、遷移率、電阻率及霍爾系數(shù)等數(shù)據，是掌握半導體材料特性所必需的設備。 五 原子力顯微鏡（ AFM） ? 原子力顯微鏡的原理：將一個對微弱力極敏感的微懸臂一端固定，另一端有一微小的針尖，針尖與樣品表面輕輕接觸，由于針尖尖端原子與樣品表面原子間存在極微弱的排斥力，通過在掃描時控制這種力的恒定，帶有針尖的微懸臂將對應于針尖與樣品表面原子間作用力的等位面而在垂直于樣品的表面方向起伏運動。利用光學檢測法或隧道電流檢測法，可測得微懸臂對 應于掃描各點的位置變化，從而可 以獲得樣品表面形貌的信息。 激光檢測原子力顯微鏡：如圖所示，激光器發(fā)出的激光束經過光學系統(tǒng)聚焦在微懸臂背面，并從微懸臂背面反射到由光電二極管構成的光斑位置檢測器。在樣品掃描時，由于樣品表面的原子與微懸臂探針尖端的原子間的相互作用力，微懸臂將隨樣品表面形貌而彎曲起伏，反射光束也將隨之偏移，通過光電二極管檢測光斑位置的變化，就能獲得被測樣品表面形貌的信息。 在系統(tǒng)檢測成像全過程中，探針和被測樣品間的距離始終保持在納米（ 10e9米）量級，距離太大不能獲得樣品表面的信息，距離太小會損傷探針和被測樣品。 六 其他測量技術 6. 電致發(fā)光量測（ EL） 電致發(fā)光分析參數(shù)：亮度 (mcd) 、正向偏壓(Vf)、波長 (nm)、半峰寬、反向電流、波長漂移、反向電壓、抗 ESD能力等等 7. 掃描電鏡測量表面形貌 8. 金相顯微鏡測量表面形貌
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