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led檢測(cè)技術(shù)1緒論及第一講-文庫(kù)吧資料

2025-05-07 18:23本頁(yè)面
  

【正文】 Lens Sample Grating Filter Detector Source: For 藍(lán)光- UV266nm或 325nm Slit 某產(chǎn)業(yè)用 PL mapping系統(tǒng) 外延片 PL譜掃描成像儀用于快速在線檢測(cè)外延片的質(zhì)量,主要用于發(fā)光二極管外延片和芯片生產(chǎn)線.生成高分辨率的圖譜。 生長(zhǎng)過程檢(監(jiān))測(cè)技術(shù) 3 生長(zhǎng)膜厚的在線監(jiān)測(cè) 生長(zhǎng)速率、成膜質(zhì)量等 原理:多光束干涉 P型材料層 發(fā)光層 基片 N型材料層 外 延 層 基片厚度: 430um 外延層厚度: 5~8um 外延片的檢測(cè)技術(shù) 一、 表面反射率分析( PR: Photo Reflectivity) 測(cè)試外延片表面的粗糙程度 GaN 入射光 反射光 GaN 入射光 反射光 光滑表面: 粗糙表面: 反射光 反射光 ≈17% ≈1~10 % 外延片的檢測(cè)技術(shù) 二 光致發(fā)光光譜( PL, Photoluminescence) 1. 基本原理 光致發(fā)光是半導(dǎo)體的一種發(fā)光現(xiàn)象,利用光照射到材料表面,其電子吸收光子而躍遷到高能級(jí),出于高能級(jí)的電子不穩(wěn)定,會(huì)回落到低能級(jí),同時(shí)伴隨著能級(jí)差的能量以光輻射的形式發(fā)射出來(lái)。紅外熱像儀就是利用紅外探測(cè)器、光學(xué)成像物鏡接收被測(cè)目標(biāo)的紅外輻射信號(hào),經(jīng)過紅外光學(xué)系統(tǒng)和紅外探測(cè)器顯示紅外熱圖像。LED芯片測(cè)量技術(shù) 五 邑 大 學(xué) 2022年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng) 赤崎勇 (Isamu Akasaki) 日本名城大學(xué)終身教授 中村修二 ) (S
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