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led檢測技術(shù)1緒論及第一講-在線瀏覽

2025-06-18 18:23本頁面
  

【正文】 MGa N2 NH3 SiH4 有機金屬 源: MOCVD 系統(tǒng) 尾氣收集器 Scrubber 外延片 基片 大氣 氣態(tài) 源: TEGa TMIn TMAl Cp2Mg H2 Aixtron Veeco Thomas Swan 反應(yīng)腔( Reactor Chamber) 加熱系統(tǒng) 石墨盤 參加反應(yīng)的三 /五族氣體 反應(yīng)腔 尾氣 Pockets 旋轉(zhuǎn) 原材料的檢測技術(shù) 1. H N NH SiH4等高純氣體,純度要求達到 6個 9以上,即 %以上 2. TMGa、 TEGa、 TMAl、 TMIn、 Cp2Mg等金屬有機源,純度要求達到 6個 9以上,即 %以上(江蘇南大光電材料股份有限公司(股票代碼: 300346)) 3. 基片(藍寶石、 SiC 、 Si)對晶體質(zhì)量、表面光潔度、表面缺陷等也有很高的要求 巧婦難為無米之炊,好的原材料是生長出好產(chǎn)品的必要條件! 怎么檢測?檢測非常困難,不檢測!相信你的供應(yīng)商吧! 生長過程檢(監(jiān))測技術(shù) 1 各種氣體的流量變化、調(diào)節(jié)都由主控計算機按照預(yù)設(shè)程序完成 2 反應(yīng)溫度(石墨盤)的溫度除了利用設(shè)備自帶的熱電偶之外,還可以附加紅外熱像儀進行實時監(jiān)測 紅外熱像儀是被動紅外成像。在自然界中一切溫度高于絕對零度(- 273. 16攝氏度)的物體都不斷地輻射著紅外線。通過探測微小的溫度差別,產(chǎn)生的圖像是熱圖像。這個過程就是光致發(fā)光,即 PL。 逐點掃描檢測計算機分析計算外延片的積分光強,主波長,峰值波長
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