led檢測(cè)技術(shù)1緒論及第一講-閱讀頁(yè)
2025-05-16 18:23本頁(yè)面
【正文】 ，光譜半寬等參數(shù)以繪圖形式顯示分布，顯示單點(diǎn)光譜；顯示各個(gè)參數(shù)的統(tǒng)計(jì)結(jié)果；顯示選擇范圍的各項(xiàng)統(tǒng)計(jì)參數(shù)；可進(jìn)行局部掃描，并對(duì)掃描結(jié)果進(jìn)行去孤立點(diǎn)和去邊處理。全部檢測(cè)和數(shù)據(jù)處理由計(jì)算機(jī)自動(dòng)完成。 三 X射線分析（ XRay） X 射線雙晶衍射方法是研究外延材料組分和晶體結(jié)構(gòu)的重要實(shí)驗(yàn)方法，是研究超晶格及多量子阱結(jié)構(gòu)性質(zhì)的有效手段。 四 霍爾效應(yīng)分析儀 霍爾效應(yīng)：固體材料中的載流子在外加磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)，受到洛侖茲力的作用而使軌跡發(fā)生偏移，并在材料兩側(cè)產(chǎn)生電荷積累，形成垂直于電流方向的電場(chǎng)，最終使載流子受到的洛侖茲力與電場(chǎng)斥力相平衡，在兩側(cè)建立起一個(gè)穩(wěn)定的電勢(shì)差即霍爾電壓。平行電場(chǎng)和電流強(qiáng)度之比就是電阻率。 霍爾效應(yīng)分析儀作為測(cè)定半導(dǎo)體材料的電磁特性的儀器可以得到材料的載流子濃度、遷移率、電阻率及霍爾系數(shù)等數(shù)據(jù)，是掌握半導(dǎo)體材料特性所必需的設(shè)備。利用光學(xué)檢測(cè)法或隧道電流檢測(cè)法，可測(cè)得微懸臂對(duì) 應(yīng)于掃描各點(diǎn)的位置變化，從而可 以獲得樣品表面形貌的信息。在樣品掃描時(shí)，由于樣品表面的原子與微懸臂探針尖端的原子間的相互作用力，微懸臂將隨樣品表面形貌而彎曲起伏，反射光束也將隨之偏移，通過(guò)光電二極管檢測(cè)光斑位置的變化，就能獲得被測(cè)樣品表面形貌的信息。 六 其他測(cè)量技術(shù) 6. 電致發(fā)光量測(cè)（ EL） 電致發(fā)光分析參數(shù)：亮度 (mcd) 、正向偏壓(Vf)、波長(zhǎng) (nm)、半峰寬、反向電流、波長(zhǎng)漂移、反向電壓、抗 ESD能力等等 7. 掃描電鏡測(cè)量表面形貌 8. 金相顯微鏡測(cè)量表面形貌
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