核磁共振分析法ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-13 06:39 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ) 影響化學(xué)位移的因素 ? 化學(xué)位移是由于核外電子云的 對(duì)抗磁場(chǎng) 引起的 ,凡是能使核外電子云密度改變的因素都能影響化學(xué)位移 影響因素 內(nèi)部 元素電負(fù)性 , 磁的各向異性效應(yīng)等 外部 溶劑效應(yīng) , 氫鍵的形成等 1．電負(fù)性 與質(zhì)子相連原子或基團(tuán)的電負(fù)性越強(qiáng)，吸電子作用越強(qiáng)，價(jià)電子偏離質(zhì)子，屏蔽作用減弱，信號(hào)峰在低場(chǎng)出現(xiàn)。 CH3 ， ? =~， 高場(chǎng)； CH2I， ? = ~ OH， CH， ? 較大 ? 較小 較低場(chǎng) 較高場(chǎng) 化學(xué)式 CH3F CH3Cl CH3Br CH3I CH4 (CH3 )4Si 電負(fù)性 化學(xué)位移 0 鹵代甲烷的化學(xué)位移 Si的電負(fù)性最小 ,從質(zhì)子中拉電子的能力最小 ,電子提供的屏蔽效應(yīng)最大 ,吸收峰在高場(chǎng) 2 化學(xué)鍵的磁各向異性效應(yīng) ? 在外磁場(chǎng)的作用下，分子中處于某一化學(xué)鍵（單鍵 , 雙鍵 , 三鍵和大 ? 鍵）的 不同空間位置的氫核，受到不同的屏蔽作用 ，這種現(xiàn)象稱為化學(xué)鍵的 磁各向異性效應(yīng)。 ? 原因 : 電子構(gòu)成的化學(xué)鍵，在外磁場(chǎng)作用下產(chǎn)生一個(gè) 各向異性 的次級(jí)磁場(chǎng)，使得某些位置上氫核受到屏蔽效應(yīng)，而另一些位置上的氫核受到去屏蔽效應(yīng)。 ? 例如，芳環(huán)的大 ?鍵在外磁場(chǎng)的作用下形成上下兩圈 ?電子環(huán)電流，因而苯環(huán)平面上下電子云密度大，形成屏蔽區(qū)“ +”, 而環(huán)平面各側(cè)電子云密度低，形成去屏蔽區(qū) “－” ? 苯環(huán)的氫核正處于去屏蔽區(qū)，共振信號(hào)向低場(chǎng)區(qū)移動(dòng)，其化學(xué)位移值大 ； 如果分子中有的氫核處于苯環(huán)的屏蔽區(qū) ,則共振信號(hào)向高場(chǎng)區(qū)移動(dòng)， ?值會(huì)減小。 + + － － 苯環(huán)上的 6個(gè) ?電子產(chǎn)生較強(qiáng)的誘導(dǎo)磁場(chǎng)，質(zhì)子位于其磁力線上，與外磁場(chǎng)方向一致，去屏蔽。 處于芳香大環(huán)體系的正屏蔽區(qū)質(zhì)子共振位移高于 TMS(d0)。 ?雙鍵 ? 電子的情況與苯環(huán)相似 ， 如乙烯的氫核處于去屏蔽區(qū) ， 其化學(xué)位移較大 三鍵的各向異性使乙炔的 H核處于屏蔽區(qū)， ?=， 化學(xué)位移較小 B 0電 子 環(huán) 流抗 磁 屏 蔽? 由于屏蔽或反屏蔽作用使吸收峰向高場(chǎng)或低場(chǎng)方向移動(dòng)，移動(dòng)的多少與氫核所處的化學(xué)環(huán)境有關(guān)，即分子結(jié)構(gòu)情況，有幾個(gè)化學(xué)環(huán)境，有幾組吸收峰 3. 氫鍵和溶劑的影響 ? 鍵合在雜原子上的質(zhì)子易形成氫鍵 。 氫鍵質(zhì)子比沒有形成氫鍵的質(zhì)子有較小的屏蔽效應(yīng) 。 化學(xué)位移值變大 ? 形成氫鍵傾向越強(qiáng)烈 ， 質(zhì)子受到的屏蔽效應(yīng)就越小 ， 因此在較低場(chǎng)發(fā)生共振 ， 即化學(xué)位移值較大 。 ? 形成氫鍵傾向受溶液的濃度影響 ， 如在甲醇中 ，通?；瘜W(xué)位移 ；隨締合增強(qiáng) ， 化學(xué)位移值大 。 ? 同一試樣在 不同溶劑 中由于受到不同溶劑分子的作用 ， 化學(xué)位移發(fā)生變化 ， 稱為溶劑效應(yīng) 。 ? 在核磁共振波譜分析中 ， 一定要注明是在什么溶劑下的 ? ? 溶劑的這種影響是通過溶劑的極性 、 形成氫鍵 、形成分子復(fù)合物及屏蔽效應(yīng)而發(fā)生作用 。 ? 一般在惰性溶劑的稀溶液中 ， 化學(xué)位移變化不大 CCl CDCl3 溶液濃度 ~〃L 1 溶劑 1H譜 (dH) 13C譜 (dC) H化合物 D化合物 氘代氯仿 CDCl3
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