培訓資料電鏡ppt課件(2)(編輯修改稿)
2025-02-06 17:36 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 30mm2 活區(qū)，分辨率優(yōu)于 133eV (MnKα處 ,計數(shù)率為 4000cps)，分析元素范圍： Be4U92 16 第二節(jié) 像襯原理與應用 ? 一、像襯原理 ? 像的襯度 ：像的各部分 (即各像元 )強度相對于其平均強度的變化。 ? SEM可以用二次電子、背散射電子、吸收電子、特征 X射線（帶 EDS或 WDS）、俄歇電子（單獨的俄歇電子能譜儀）等信號成像。 17 1．二次電子像襯度及特點 ? 二次電子信號主要來自樣品表層 5~10nm深度范圍，能量較低 (小于 50eV)。 ? 影響二次電子產(chǎn)額的因素主要 有： (1)入射電子的能量； (2)材料的原子序數(shù)； (3)樣品傾斜角 ?。 18 二次電子像的襯度可以分為以下幾類： (1)形貌襯度 (2)成分襯度 (3)電壓襯度 (4)磁襯度 (第一類 ) 形貌襯度原理 樣品傾斜角 ? 入射電子束 表面法線 樣品傾斜角 ?越大 二次電子產(chǎn)額越大 圖像越明亮 19 二次電子像襯度的特點： （ 1）分辨率高 （ 2）景深大，立體感強 （ 3）主要反映形貌襯度。 通常所指的掃描電鏡的分辨率，就是指二次電子像的分辨率。 20 2．背散射電子像襯度及特點 影響背散射電子產(chǎn)額的因素 ： (1) 原子序數(shù) Z (2) 入射電子能量 E0 (3) 樣品傾斜角 ? 背散射電子像襯度 ： (1) 成分襯度 (2) 形貌襯度 (3) 磁襯度 (第二類 ) 與二次電子像比較，其特點 ： （ 1）分辯率低 （ 2）背散射電子檢測效率低，襯度小 （ 3）主要反應原子序數(shù)襯度 背散射系數(shù)與原子序數(shù)的關系 當觀察原子序數(shù)襯度時，需將樣品磨平、拋光。 元素像 形貌像 形貌與元素象的分離 22 二次電子運動軌跡 背散射電子運動軌跡 二次電子像的分辨率高、景深大，為什么？ 樣品制備 ? 一般玻璃材料，纖維材料，高分子材料以及陶瓷材料幾乎都是非導電性的物質(zhì)。在利用掃描電鏡進行直接觀察時，會產(chǎn)生嚴重的荷電現(xiàn)象，影響對樣品的觀察，因此需要在樣品表面蒸鍍導電性能好的金等導電薄膜層。 ? 在樣品表面鍍金屬層不僅可以防止荷電現(xiàn)象，換可以減輕由電子束引起的樣品表面損傷；增加二次電子的產(chǎn)率，提高圖像的清晰度；并可以掩蓋基材信息，只獲得表面信息。 樣品制備 ? 一般金屬層的厚度在 10納米以上，不能太厚。 ? 鍍層太厚就可能會蓋住樣品表面的細微 ，得不到樣品表面的真實信息。 ? 假如樣品鍍層太薄，對于樣品表面粗糙的樣品，不容易獲得連續(xù)均勻的鍍層，容易形成島狀結(jié)構(gòu)，從而掩蓋樣品的真實表面。 樣品制備 ? 表面鍍膜最常用的方法有 真空蒸發(fā) 和 離子濺射 兩種方法。 ? 其中真空蒸發(fā)一般是在 10－ 5～ 10－ 7Pa左右的真空中蒸發(fā)低熔點的金屬。 ? 一般經(jīng)常采用的是蒸鍍金屬金薄膜，但當要求高放大倍數(shù)時，金屬膜的厚度應該在 10nm以下，一般可以蒸鍍 AuPd（ 6:4）合金。這樣可以避免島狀結(jié)構(gòu)的形成。 ? 從經(jīng)驗上看，先蒸發(fā)一層很薄的炭，然后再蒸鍍金屬層
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