第四章核磁共振波譜法(nuclearmagneticresonancespectroscopy(編輯修改稿)
2024-10-10 08:58 本頁面
【文章內容簡介】 ）（感應 ?????????? 2 )1(2 0HH ???由于屏蔽作用的存在： （ 1）如果外磁場強度不變，氫核的共振頻率降低； （ 2）如果保持共振頻率不變，需要更大的外磁場強度（相對于裸露的氫核）。 在有機化合物中，氫核受核外電子的屏蔽作用，使其共振頻率發(fā)生變化，即引起共振吸收峰的位移，這 種現(xiàn)象稱為化學位移（ δ ）。而且不同的氫核，所處的化學環(huán)境不同，化學位移的值也不相同。 二、化學位移的表示方法 位移的標準：選用四甲基硅烷 Si(CH3)4（簡寫 TMS）作為化學位移的標準物質，規(guī)定其化學位移的值等于零。選用四甲基硅烷的原因如下： （ 1） 12 個氫處于完全相同的化學環(huán)境，只產生一個吸收峰； （ 2）屏蔽強烈，位移最大（ 0）。與一般有機化合物中的質子峰不重疊； （ 3）化學惰性；易溶于有機溶劑；沸點低，易回收。 位移的表示方法 如果保持磁場強度不變，用共振頻率的變化表示化學位移，則： 如果共振頻率不變，則磁場強度的位移可表示如下： 常見結構單元化學位移范圍 如下圖所示： 三、影響化學位移的因素 凡影響電子云密度的因素都將影響化學位移。 誘導效應 (induction effect) （ 1）與質子相連元素的電負性越強，吸電子作用越強，質子周圍的電子云密度越小，)ppm(10 6T M S T M S ??? ? ??? 樣品)ppm(10 6T M S 樣 品T M S ??? H HH?0123456789101112131415化學位移HC CHC OHCOO HH3C O~ 3 . 7H3C N~ 3 . 0H3C C~ 2 . 1OH3C C~ 1 .8CH3C C~ 0 . 9δ ( p p m )屏蔽作用減弱，信號峰在低場出現(xiàn)。 化學 式 CH3F CH3Cl CH3Br CH3I CH3H (CH3 )4Si 電負性 δ 0 （ 2）誘導效應是通過成鍵電子沿鍵軸方向傳遞的，氫核與取代基的距離越大，誘導效應越弱。 化學式 RCH2Br RCH2CH2Br RCH2CH2CH2Br δ （ 3）多取代基對化學位移的影響：取代基越多，誘導效應越強。 共軛效應 (conjugative effect) 共軛體系中如果氫被推電子基（如 CH3O）取代，由于 p – π 共軛，使共軛體系的電子云密度增大，δ 值向高場位移；如果被吸電子基團（如 C=O、 NO2）取代，由于 π – π
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