【正文】
I = 4 0 u ABI = 6 0 u ABI = 8 0 u ABI = 1 0 0 u A飽和區(qū) 放大區(qū) 截止區(qū) 三 . 三極管的主要參數(shù) BCII??BCii??=?i CE △ =20uA (mA) B =40uA I C u =0 (V) =80uA I △ B B B I B i I B I =100uA C B I =60uA i 一般取 20~200之間 38A60 BC ????? II40A40 )( 60 mA)(BC ??????? ii=共發(fā)射極電流放大系數(shù): ( 2)集電極發(fā)射極間的穿透電流 ICEO 基極開路時(shí),集電極到發(fā)射極間的電流 —— 穿透電流 。 ( 1)集電極基極間反向飽和電流 ICBO 發(fā)射極開路時(shí),在其集電結(jié)上加反向電壓,得到反向電流。 其大小與溫度有關(guān)。當(dāng) ?值 下降到線性放大區(qū) ?值的 70%( 2/3)時(shí),所對(duì)應(yīng)的集電極電流稱為集電極最大允許電流 ICM。其值一般幾伏~十幾伏。其值一般為幾十伏~幾百伏。 在實(shí)際使用時(shí) , 還有 U( BR) CER、 U( BR) CES 等擊穿電壓 。 增強(qiáng)型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 場(chǎng)效應(yīng)管 分類: 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管 ( Field Effect Transistor簡(jiǎn)稱 FET) 是一種電壓控制器件 , 工作時(shí) , 只有一種載流子參與導(dǎo)電 , 因此它是單極型器件 。 一 . 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)三極管 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 ( Metal Oxide Semiconductor FET),簡(jiǎn)稱 MOSFET。 gsdb符號(hào): N+ +NP 襯底s g db源極 柵極 漏極襯底 當(dāng) uGS> 0V時(shí) →縱向電場(chǎng) →將靠近柵極下方的空穴向下排斥 →耗盡層。 再增加 uGS→縱向電場(chǎng) ↑ →將 P區(qū)少子電子聚集到 P區(qū)表面 →形成導(dǎo)電溝道,如果此時(shí)加有漏源電壓,就可以形成漏極電流 id。 N溝道增強(qiáng)型 MOS管的基本特性: uGS < UT,管子截止, uGS > UT,管子導(dǎo)通。 ( 3)特性曲線 四個(gè)區(qū): ( a)可變電阻區(qū)(預(yù)夾斷前)。 ( c)夾斷區(qū)(截止區(qū))。 可變電阻區(qū) 恒流區(qū) 截止區(qū) 擊穿區(qū) ② 轉(zhuǎn)移特性曲線 : 可根據(jù)輸出特性曲線作出 移特性曲線 。 在轉(zhuǎn)移特性曲線上, gm為的曲線的斜率。 1( m A )DSu= 6V= 3VuuGS ( V )1D624i43= 5V( m A )243iDGS210 V( V )△ u GSi△DGSu△i△D MOSFET 特點(diǎn): 當(dāng) uGS=0時(shí),就有溝道,加入 uDS, 就有 iD。 當(dāng) uGS< 0時(shí),溝道變窄,iD減小。所以當(dāng)uGS=0時(shí),這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層,形成了溝道。 g 漏極s+N襯底P 襯底源極 d柵極bN++++ ++++++ + + sbgdN溝道耗盡型 MOSFET的 特性曲線 輸出特性曲線 轉(zhuǎn)移特性曲線 1 GS u 0 1 D (V) 1 2 2 (mA) 4 3 2 i 4 2 u u 3 10V =+2V 1 DS GS D (mA) i = 1V u GS GS GS =0V =+1V u u (V) = 2V= UP GS u U