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x射線衍射強(qiáng)度ppt課件-在線瀏覽

2025-06-22 18:06本頁(yè)面
  

【正文】 會(huì)出現(xiàn)明顯的波動(dòng)。所以在討論原子位置與衍射線強(qiáng)度的關(guān)系時(shí),只需考慮一個(gè)單胞內(nèi)原子排列是以何種方式影響衍射線強(qiáng)度 ?在簡(jiǎn)單晶胞中,每個(gè)晶胞只由一個(gè)原子組成,這時(shí)單胞的散射強(qiáng)度與一個(gè)原子的散射強(qiáng)度相同。同理, 3’和 2’也是這樣。產(chǎn)生衍射線的必要條件是同時(shí)滿足布拉格方程和 FHKL≠0 ?由于 FHKL=0而使衍射線消失的現(xiàn)象稱為 系統(tǒng)消光 ,包括 點(diǎn)陣消光 和 結(jié)構(gòu)消光 單胞對(duì) X射線的散射 簡(jiǎn)單點(diǎn)陣的系統(tǒng)消光 ?在簡(jiǎn)單點(diǎn)陣中,每個(gè)陣胞中只包含一個(gè)原子,其坐標(biāo)為 000,原子散射因子為 fa ?根據(jù) (412)式得: ?結(jié)論: 在簡(jiǎn)單點(diǎn)陣的情況下, FHKL不受 HKL的影響,即 HKL為任意整數(shù)時(shí),都能產(chǎn)生衍射 單胞對(duì) X射線的散射 底心點(diǎn)陣 ?每個(gè)晶胞中有 2個(gè)同類原子,其坐標(biāo)分別為 000和1/2 1/2 0,原子散射因子相同,都為 fa 底心點(diǎn)陣 ?分析: ?當(dāng) H+K為偶數(shù)時(shí),即 H, K全為奇數(shù)或全為偶數(shù): ?當(dāng) H+K為奇數(shù)時(shí),即 H、 K中有一個(gè)奇數(shù)和一個(gè)偶數(shù): 單胞對(duì) X射線的散射 ?結(jié)論 ?在底心點(diǎn)陣中, FHKL不受 L的影響,只有當(dāng)H、 K全為奇數(shù)或全為偶數(shù)時(shí)才能產(chǎn)生衍射 單胞對(duì) X射線的散射 體心點(diǎn)陣 ?每個(gè)晶胞中有 2個(gè)同類原子,其坐標(biāo)為 000和 1/2 1/2 1/2 ,其原子散射因子相同 單胞對(duì) X射線的散射 體心點(diǎn)陣 ?分析 ?當(dāng) H+K+L為偶數(shù)時(shí), ?當(dāng) H+K+L為奇數(shù)時(shí), 結(jié)論: 在體心點(diǎn)陣中,只有當(dāng) H+K+L為偶數(shù)時(shí)才能產(chǎn)生衍射 單胞對(duì) X射線的散射 面心點(diǎn)陣 ?每個(gè)晶胞中有 4個(gè)同類原子 單胞對(duì) X射線的散射 面心點(diǎn)陣 ?分析 ?當(dāng) H、 K、 L全為奇數(shù)或偶數(shù)時(shí),則( H+K)、( H+K)、( K+L)均為偶數(shù),這時(shí): ?當(dāng) H、 K、 L中有 2個(gè)奇數(shù)一個(gè)偶數(shù)或 2個(gè)偶數(shù) 1個(gè)奇數(shù)時(shí),則( H+K)、( H+L)、( K+L)中總有兩項(xiàng)為奇數(shù)一項(xiàng)為偶數(shù),此時(shí): 單胞對(duì) X射線的散射 面心點(diǎn)陣 ?結(jié)論 ?在面心立方中,只有當(dāng) H、 K、 L全為奇數(shù)或全為偶數(shù)時(shí)才能產(chǎn)生衍射。因此,結(jié)構(gòu)因子只與原子品種和晶胞的位置有關(guān),而不受晶胞形狀和大小的影響 ?例如:只要是體心晶胞,則體心立方、正方體心、斜方體心,系統(tǒng)消光規(guī)律是相同的 單胞對(duì) X射線的散射 結(jié)構(gòu)消光 由兩種以上等同點(diǎn)構(gòu)成的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)來(lái)說(shuō),一方面要遵循點(diǎn)陣消光規(guī)律,另一方面,因?yàn)橛懈郊釉拥拇嬖?,還有附加的消光,稱為 結(jié)構(gòu)消光 這些消光規(guī)律,存在于金剛石結(jié)構(gòu)、密堆六方等結(jié)構(gòu)中 結(jié)構(gòu)消光 ?金剛石結(jié)構(gòu) ?每個(gè)晶胞中有 8個(gè)同類原子, ?坐標(biāo)為 000、 1/2 1/2 0, 1/2 0 1/2, 0 1/2 1/2,1/4 1/4 1/4, 3/4 3/4 188。 3/4 , 1/4 3/4 3/4 單胞對(duì) X射線的散射 結(jié)構(gòu)消光 ?金剛石結(jié)構(gòu) ?前 4項(xiàng)為面心點(diǎn)陣的結(jié)構(gòu)因子, ?用 FF表示,后 4項(xiàng)可提出公因子。所以,它屬于簡(jiǎn)單六方結(jié)構(gòu),沒(méi)有點(diǎn)陣消光。 1. 定義式 2. 倒易點(diǎn)陣與正點(diǎn)陣的倒易關(guān)系 3. 倒易點(diǎn)陣參數(shù): a* 、 b*、 c*; α*、 β*、 γ* 4. 用倒易矢量推導(dǎo)晶面間距和晶面夾角的計(jì)算公式 a*c = b*c = c*b =0 a*b = c*倒易點(diǎn)陣與正點(diǎn)陣的倒易關(guān)系 倒易點(diǎn)陣的倒易是正點(diǎn)陣。 晶面間距計(jì)算公式: 已知 r* = Ha* + Kb* + L c*,則 : 立方晶系: 22221LKHd H K L???晶面夾角計(jì)算公式 已知 r1* = H1a* + K1b* + L1 c* r2* = H2a* + K2b* + L2 c* 則( H1 K1 L1)與( H2 K2 L2)之間 的夾角 Φ為: 222222212121212121LKHLKHLLKKHHC o s?????????倒易點(diǎn)陣與正點(diǎn)陣的指數(shù)變換 設(shè)有一個(gè)晶向,倒易點(diǎn)陣中用 [ H K L ]*表示,正點(diǎn)陣中用 [ H K L ]*表示,則有公式: u a*b* a*a* a*c* K w a*b* a*a* a*c* H v = a*b* a*a* a*c* L 即當(dāng)晶向指數(shù)已知時(shí) , 可用上式求與該晶向垂直的晶面指數(shù) ( H K L) 晶帶的定義 在晶體結(jié)構(gòu)或空間點(diǎn)陣中, 與某一取向平行的所有晶面均屬于同一個(gè) 晶帶 。 晶帶軸的晶向指數(shù)即為該 晶帶的指數(shù) 。我們可以將晶帶軸用正點(diǎn)陣矢量 r=ua+vb+wc表達(dá),晶面法向用倒易矢量r*=Ha*+Kb*+Lc*表達(dá)。我們把這個(gè)關(guān)系式叫作 晶帶定律 。 1) 可以判斷空間兩個(gè)晶向或兩個(gè)晶面是否相互垂直; 2) 可以判斷某一晶向是否在某一晶面上(或平行于該晶面); 3) 若已知晶帶軸,可以判斷哪些晶面屬于該晶帶; 4) 若已知兩個(gè)晶帶面為( h1 k1 l1)和 (h2 k2 l2),則可用晶帶定律求出晶帶軸; 5) 已知兩個(gè)不平行的晶向,可以求出過(guò)這兩個(gè)晶向的晶面; 6) 已知一個(gè)晶面及其面上的任一晶向,可求出在該面上與該晶向垂直的另一晶向; 7) 已知一晶面及其在面上的任一晶向,可求出過(guò)該晶向且垂直于該晶面的另一晶面。實(shí)際上是一種嵌鑲結(jié)構(gòu) ?鑲嵌結(jié)構(gòu)模型認(rèn)為,晶體是由許多小的嵌鑲塊組成的,每個(gè)塊大約 104cm,它們之間的取向角差一般為 130”。因此,不可能有貫穿整個(gè)晶體的完整晶面 TEM照片 ?X射線的相干作用只能在嵌鑲塊內(nèi)進(jìn)行,嵌鑲塊之間沒(méi)有嚴(yán)格的相位關(guān)系,不可能發(fā)生干涉作用 ?整個(gè)晶體的反射強(qiáng)度是一個(gè)晶塊的衍射強(qiáng)度的機(jī)械疊加 一個(gè)小晶體對(duì) X射線的衍射 小晶體散射 ?假定: ?小晶體形狀為平行六面體,晶體結(jié)構(gòu)為簡(jiǎn)單點(diǎn)陣 )(22 0 ?????? pnmSSm n p ?????? ?它的三個(gè)棱邊為 N1a、 N2b、 N3c,其中 N1, N2, N3分別為晶軸 a,b,c方向上的晶胞數(shù)。 其位相差可表示為 : 小晶體散射 ?假定: 式中, r=ma+nb+pc— 晶胞的坐標(biāo)矢量 倒易點(diǎn)陣中的流動(dòng)矢量 ?對(duì)于簡(jiǎn)單點(diǎn)陣,一個(gè)晶胞的相干散射振幅等于一個(gè)原子的相干散射振幅 Aefa ?對(duì)于復(fù)雜陣胞,一個(gè)晶胞的相干散射振幅應(yīng)為AeFHKL ?一個(gè)小晶體的相干散射振幅為: 一個(gè)小晶體對(duì) X射線的衍射 cbar ?????? ??? ***? ??Nm n piH K LeM eFAA小晶體散射 ?把相位公式代入可得 AM=AeFHKLG ?散射強(qiáng)度 IM與振幅的平方成正比,所以: ?G是干涉函數(shù),如果用倒易點(diǎn)陣矢量代入( 38)式中,可得: 一個(gè)小晶體對(duì) X射線的衍射 小晶體散射 一個(gè)小晶體對(duì) X射線的衍射 小晶體散射 ?干涉函數(shù)的每個(gè)主峰就是倒易空間中的一個(gè)選擇反射區(qū),它的有值范圍為 ?選擇反射區(qū)的中心是嚴(yán)格滿足布拉格定律的倒易陣點(diǎn),即: ?干涉函數(shù)的物理意義是描述衍射線自身的強(qiáng)度分布函數(shù) 一個(gè)小晶體對(duì) X射線的衍射 小晶體散射 ?反射球與選擇反射區(qū)的任何部位相交都能產(chǎn)生衍射。因?yàn)楦缮婧瘮?shù)主峰底寬與 N成反比,所以,選擇反射區(qū)的大小和形狀與晶體尺寸成反比 小晶體散射 一個(gè)小晶體對(duì) X射線的衍射 小晶體散射 ?選擇反射區(qū)的大小、形狀與晶體尺寸的關(guān)系 一個(gè)小晶體對(duì) X射線的衍射 小晶體散射 一個(gè)小晶體對(duì) X射線的衍射 小晶體散射 ?選擇反射區(qū)大小和形狀與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系 ?
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