制絨原理及相應問題的對策-在線瀏覽
2025-06-16 05:05本頁面
【正文】 ed dissolution），通過攪拌可以提高。各向異性就是由化學反應的各向速率不同造成的。 ? 在 {111}晶面族上，每個硅原子具有三個共價健與晶面內(nèi)部的原子健結及一個裸露于晶格外面的懸掛健，{100}晶面族每一個硅原子具有兩個共價健及兩個懸掛健，當刻蝕反應進行時，刻蝕液中的 OH－會跟懸掛健健結而形成刻蝕，所以晶格上的單位面積懸掛健越多，會造成表面的化學反應自然增快。 ? 減少溶液的張力，如添加添加劑。 關鍵：降低硅片表面 /溶液的界面能 增加反應速度 減緩反應速度 不影響反應速度 添加劑作用 工業(yè)制絨常見問題及對策 影響絨面均勻性的因素： ? 原始硅片表面均勻性 ? 反應溶液均勻性 工藝控制方法 增加 IPA 雨點狀斑點 斑點 白 斑 絨面沒有制滿 減少 NaSiO3 或加大 NaOH 水印 硅酸鈉過量 噴林效果不理想 黑斑 硅酸鈉附著 沒有及時清洗 (堿腐蝕后暴露空氣時間過長 ) 云霧狀白斑 硅片沾污 手指印 脂肪酸沾污 預清洗 硅片表面沾污的來源 ?硅片有手指印，在清洗前看不見，但是清洗后卻清晰可見； ?硅片切割后清洗工藝中的有機物沾污； ? 硅片表面的碳沾污； ?硅片切割時潤滑劑的粘污。這些潤滑劑在高溫下有可能碳化粘附在硅片表面。因此，在堿清洗后不能在空氣中暴露 12秒以上。 Solar Cells 91(2022)11471151 如何檢測硅酸鈉含量 硅酸鈉具體含量測量是沒必要的，只要判定它的含量是否過量即可。 多晶制絨原理及相應對策 多晶硅織構化應使用各項同性織構技術 濕法各項同性腐蝕 使用 HF/HNO3/H2O ? HNO3在硅表面形成 SiO層 ? HF將氧化層除去 兩者形成競爭 效率增加： 電池片： 7% 組件： % 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 5510100HNO3:HF:CH3COOH : 2 : selective etchingpo lishetching Etchrate, ?m/minTem per atur e , oC溫度與腐
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