制絨原理及相應(yīng)問(wèn)題的對(duì)策(完整版)
【正文】 槽體密封程度、乙醇或異丙醇的揮發(fā)程度 硅的刻蝕速率與 表面原子密度、晶格方向、摻雜濃度、腐蝕液成分、濃度、溫度、攪拌 等參數(shù)有關(guān) 各個(gè)因素作用 擴(kuò)散控制過(guò)程 反應(yīng)控制過(guò)程 NaOH溶液濃度 反應(yīng)溫度 制絨的根本 IPA濃度 NaSiO3濃度 提高溶液濃稠度，控制反應(yīng)速度 硅片表面原始狀態(tài) 氫氣泡密度及大小以及在硅片表面停留的時(shí)間 決定金字塔形貌 攪拌 提高反應(yīng)物疏運(yùn)速度，提高氫氣泡脫附作用 圖 4 氫氣泡作用 圖 5 不同 IPA濃度下溫度和 NaOH溶液濃度對(duì)反應(yīng)速度的影響 對(duì)反應(yīng)速度的影響 圖 6 一定溫度下 NaOH溶液濃度和 IPA含量對(duì)反應(yīng)速率的影響 ? 溫度越高腐蝕速度越快 ? 腐蝕液濃度越高腐蝕速度越快 ? IPA濃度越高腐蝕速率越慢 ? Na2SiO3濃度越高腐蝕速率越慢 對(duì)反射率的影響 絨面的平均反射率隨 NaOH濃度的變化 圖 7 NaOH濃度對(duì)反射率的影響 圖 8 一定條件下 NaOH濃度和 IPA含量對(duì)反射率的影響 KOH only KOH ＋ IPA KOH ＋ Si solved KOH ＋ IPA＋ Si solved 對(duì)形貌的影響 反應(yīng) 15分鐘時(shí)反射率 反應(yīng) 45分鐘時(shí) ? 反射率和金字塔尺寸和均勻性沒有密切關(guān)系，取決于金字塔有沒有布滿 關(guān)鍵因素的分析 —— NaOH的影響 % % % 關(guān)鍵因素的分析 —— 溫度的影響 80℃ 85℃ 90℃ 關(guān)鍵因素的分析 —— IPA濃度的影響 0％ 5％ 10％ 制絨方法歸納 有機(jī)溶劑腐蝕： TMAH等 無(wú)機(jī)溶劑腐蝕： KOH/NaOH+IPA/乙醇溶液等 新方法：腐蝕液＋超聲 有利于獲得更均勻更小的金字塔 等離子體刻蝕 等離子體法刻蝕形貌圖 怎樣是“好”的金字塔 ?布滿整個(gè)硅片表面 ?小而均勻 Low density texture High density texture 怎樣得到“好”的金字塔 兩個(gè)方面實(shí)現(xiàn)： ? 提高硅片表面的浸潤(rùn)能力，如添加 IPA或者把硅片進(jìn)行酸或堿的腐蝕。 表面油脂貨攤沾污的結(jié)果 ? 減緩去
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