制絨原理及相應問題的對策-wenkub
2023-05-14 05:05:27 本頁面
【正文】 t ch so l i d l i n eI so t e x t u r e d a sh e d l i n e I Q E EQ E Ref .Ref., EQE, IQEW a v e le n g t h , n m一對矛盾 多晶硅織絨較深會引起并聯(lián)電阻減小，反向電流增大，甚至擊穿。因此，在堿清洗后不能在空氣中暴露 12秒以上。 關鍵：降低硅片表面 /溶液的界面能 增加反應速度 減緩反應速度 不影響反應速度 添加劑作用 工業(yè)制絨常見問題及對策 影響絨面均勻性的因素： ? 原始硅片表面均勻性 ? 反應溶液均勻性 工藝控制方法 增加 IPA 雨點狀斑點 斑點 白 斑 絨面沒有制滿 減少 NaSiO3 或加大 NaOH 水印 硅酸鈉過量 噴林效果不理想 黑斑 硅酸鈉附著 沒有及時清洗 (堿腐蝕后暴露空氣時間過長 ) 云霧狀白斑 硅片沾污 手指印 脂肪酸沾污 預清洗 硅片表面沾污的來源 ?硅片有手指印，在清洗前看不見，但是清洗后卻清晰可見； ?硅片切割后清洗工藝中的有機物沾污； ? 硅片表面的碳沾污； ?硅片切割時潤滑劑的粘污。 ? 在 {111}晶面族上，每個硅原子具有三個共價健與晶面內部的原子健結及一個裸露于晶格外面的懸掛健，{100}晶面族每一個硅原子具有兩個共價健及兩個懸掛健，當刻蝕反應進行時，刻蝕液中的 OH－會跟懸掛健健結而形成刻蝕，所以晶格上的單位面積懸掛健越多，會造成表面的化學反應自然增快。所以， 3又可稱為擴散限制溶解過程（ diffusion－ limited dissolution），通過攪拌可以提高。 右圖為在織構后再沉積 SiNx:H薄膜的反射光譜圖。 . Tool , Presented at the 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Barcelona, Spain, 610 June 2022 很好的織構化可以加強減反射膜的效果 好的織構化的效果 絨面作用： 減少表面反射 提高內部光吸收 400 600 800
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