制絨原理及相應(yīng)問(wèn)題的對(duì)策(存儲(chǔ)版)
【正文】 5510100HNO3:HF:CH3COOH : 2 : selective etchingpo lishetching Etchrate, ?m/minTem per atur e , oC溫度與腐蝕速度的關(guān)系 溫度對(duì)腐蝕速度和反射率的影響 4 oC20 oC181920212223240 5 10 15 20 25 30 35E t c h t i m e , m i nAverage Reflection, %腐蝕時(shí)間對(duì)表面形貌的影響 min 窄的晶界；小而均勻的腐蝕坑 腐蝕深度的線狀譜 各項(xiàng)同性腐蝕的拓?fù)鋱D 400 500 600 700 800 900 1000 1100101520253035404550m u l t i S i A l ka l i n e e t ch i n g ( 3 6 . 0 % ) A ci d i c t e x t u r i n g : m a cr o t e x t u r i sa t i o n ( 2 3 . 4 % ) d o u b l e t e x t u r i sa t i o n w i t h p o r S i ( 9 . 4 % ) Reflectance, %W a v e le n g t h , n m具有多孔硅的織構(gòu)化 堿織絨與酸織絨的差別 400 600 800 1000 12000, 00, 20, 40, 60, 81, 0Na O H e t ch so l i d l i n eI so t e x t u r e d a sh e d l i n e I Q E EQ E Ref .Ref., EQE, IQEW a v e le n g t h , n m一對(duì)矛盾 多晶硅織絨較深會(huì)引起并聯(lián)電阻減小，反向電流
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