comsic制造工藝流程-展示頁
2025-01-31 03:13本頁面
【正文】 1） ILD2間隙填充2） ILD2氧化物淀積3） ILD2氧化物平坦化4）第十二層掩膜， ILD2刻蝕Figure 7 制作第二層鎢塞的主要步驟1）金屬淀積鈦阻擋層 (PVD)2）淀積氮化鈦 (CVD)3）淀積鎢（ CVD）4）磨拋鎢Figure 7 第一套鎢通孔上第一層金屬的 SEM顯微照片Micrograph courtesy of Integrated Circuit EngineeringTiN metal capMag. 17,000 XTungsten plugMetal 1, AlFigure 7 十二、第二層金屬互連的形成1）淀積、刻蝕金屬 22）填充第三層層間介質(zhì)間隙3）淀積、平坦化 ILD3氧化物4）刻蝕通孔 3，淀積鈦 /氮化鈦、鎢，平坦化Figure 7 十三、制作第三層金屬直到制作壓點和合金 重復(fù)工藝制作第三層和第四層金屬后，完成第四層金屬的刻蝕，緊接著利用薄膜工藝淀積第五層層間介質(zhì)氧化物（ ILD5） (見下圖 )。 LDD工藝就是為了減少這些溝道漏電流的發(fā)生。1）柵氧化層的生長2）多晶硅淀積3）第四層掩膜，多晶硅柵4）多晶硅柵刻蝕Figure 7 四、輕摻雜；漏注入工藝 隨著柵的寬度不斷減小，柵下的溝道長度也不斷減小。3）第一層掩膜4） n井注入（高能）5）退火Figure 7 pwell Formation1）第二層掩膜2） P井注入 (高能 )3）退火Figure 7 二、淺曹隔離工藝STI 槽刻蝕1）隔離氧化層2）氮化物淀積3）第三層掩膜，淺曹隔離4） STI槽刻蝕（ 氮化硅的作用：堅固的掩膜材料，有助于在 STI氧化物淀積過程中保護有源區(qū)；在 CMP中充當拋光的阻擋材料。第七章 COMS IC 制造工藝流程 主要內(nèi)容1. 典型的亞微米 CMOS IC 制造流程圖；2. 描述 CMOS 制造工藝 14個步驟的主要目的；4. 討論每一步 CMOS 制造流程的關(guān)鍵工藝。 Figure 7 CMOS工藝流程中的主要制造步驟Oxidation(Field oxide)Silicon substrateSilicon dioxideoxygenPhotoresistDevelopoxidePhotoresistCoatingphotoresistMaskWaferAlignment and ExposureMaskUV lightExposed PhotoresistexposedphotoresistGS DActi
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