【正文】
無(wú)機(jī)溶劑腐蝕: KOH/NaOH+IPA/乙醇溶液等 新方法:腐蝕液+超聲 有利于獲得更均勻更小的金字塔 等離子體刻蝕 等離子體法刻蝕形貌圖 怎樣是“好”的金字塔 ?布滿(mǎn)整個(gè)硅片表面 ?小而均勻 Low density texture High density texture 怎樣得到“好”的金字塔 兩個(gè)方面實(shí)現(xiàn): ? 提高硅片表面的浸潤(rùn)能力,如添加 IPA或者把硅片進(jìn)行酸或堿的腐蝕。 ? 水分子的屏蔽效應(yīng)( screening effect)阻擋了硅原子與 OH根離子的作用,而水分子的屏蔽效應(yīng)又以原子排列密度越高越明顯。 2的速率取決于腐蝕溫度、材料、腐蝕液種類(lèi)及濃度,和攪拌方式無(wú)關(guān),被成為反應(yīng)限制溶解過(guò)程( reaction- rate limited dissolution)。 腐蝕的反應(yīng)物和生成物是利用腐蝕液之濃度梯度然產(chǎn)生的擴(kuò)散現(xiàn)象來(lái)達(dá)到傳質(zhì)的目的。 . Tool , Presented at the 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Barcelona, Spain, 610 June 2022 很好的織構(gòu)化可以加強(qiáng)減反射膜的效果 好的織構(gòu)化的效果 絨面作用: 減少表面反射 提高內(nèi)部光吸收 400 600 800 1000 1200020406080100IQEw av ele ng th (nm) w i tho ut w i th400 600 800 1000 1200020406080100IQEw avele ngt h w i th w i tho utT=200us T=2us 絨面產(chǎn)生原理 腐蝕速率快慢由下列三個(gè)反應(yīng)速度來(lái)決定。單晶制絨原理及相應(yīng)對(duì)策 中科院電工所 王文靜 左圖中藍(lán)色線(xiàn)為拋光后的 Si的反射圖,經(jīng)過(guò)不同織構(gòu)化處理之后的反射圖。 右圖為在織構(gòu)后再沉積 SiNx:H薄膜的反射光譜圖。 ? 腐蝕液流至被腐蝕物表面的移動(dòng)速率; ? 腐蝕液與被腐蝕物表面產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)速率; ? 生成物從被腐蝕物表面離開(kāi)的速率。所以, 3又可稱(chēng)為擴(kuò)散限制溶解過(guò)程( diffusion- limit