eda課程設(shè)計(jì)報(bào)告n溝道m(xù)os管工藝模擬與器件模擬-展示頁
2024-10-19 08:06本頁面
【正文】 pe(curve(abs(v.gate),abs(i.drain))))\ * ((ave(v.drain))) 此語句提取 ? 值 。這個(gè)命令將提供零偏壓（或熱平衡）情況下勢能和載流子 濃度的初始猜想值（ 2） 獲取器件參數(shù)。 簡單來說， Gummel 法將對每個(gè)未知量輪流求解，同時(shí)保持其他變量不變，不斷重復(fù)這個(gè)過程，直到能夠得到穩(wěn)定的解，而 Newton 法將會(huì)對整個(gè)系統(tǒng)的所有未知量一起求解。 3 求解命令集 接下來，我們將要為仿真選擇數(shù)值計(jì)算的方法，對于半導(dǎo)體器件的問題，有幾種不同的方法可以使用。使用“ Contact”命令來設(shè)置 n型多晶硅柵的功函數(shù)： contact name=gate (3) 設(shè)置界面特性 為了設(shè)置 NMOS 結(jié)構(gòu)的界面特性，需要使用“ Interface”命令，這個(gè)命令用于定義在半導(dǎo)體和絕緣體之間的界面上的界面電 荷密度和表面復(fù)合速率。 models cvt srh print (2) 設(shè)置接觸特性 與半導(dǎo)體材料接觸在一起的電極默認(rèn)情況下假設(shè)為歐姆接觸，如果電極上定義了功函數(shù)，那么這個(gè)電極就認(rèn)為是肖特基接觸。點(diǎn)擊 Save 建立新的文件名 。 溝道表面摻雜濃度 extract name=chan surf conc impurity=Net Doping \ material=Silicon =1 = 抽取參數(shù) nxj= um n++ sheet rho= ohm/square n1dvt= V chan surf conc=+016 atoms/cm3 13 半個(gè) NMOS 結(jié)構(gòu)的鏡像 前面構(gòu)建了半個(gè) NMOS 結(jié)構(gòu)，要得到完整的結(jié)構(gòu)，就需要在向器件仿真器輸出結(jié)構(gòu)或電極命名之前完成。金屬化工藝步驟是首先在源漏區(qū)域形成接觸孔窗口。 語句 如下： etch oxide dry thick= 10 源 /漏極注入和退火 現(xiàn)在，我們來通過注入砷進(jìn)行源漏的注入，這會(huì)形成晶體管的 n+源漏。 depo oxide thick= divisions=8 9 側(cè)墻氧化隔離的形成 為了形成氧化隔離，必須進(jìn)行干刻蝕。 語句為： diffuse time=3 temp=900 weto2 press= 8 側(cè)離氧化層淀積 在源極和漏極植入之前，需要進(jìn)行側(cè)墻隔離氧化層的淀積。 fermi 模型通常用于沒有損傷的襯底，并且摻雜濃度小于 1x1020cm3。 etch poly left = 刻蝕后的圖形如下圖： 7 多晶摻雜 在定義好多晶柵后，接下來的步驟是多晶注入前的多晶氧化多晶氧化。 6多晶氧化 接下來定義多晶硅的柵極，將多晶硅柵極網(wǎng)格邊緣定義為 x=，中心網(wǎng)格定義為 。 5 多晶硅柵定義 在 NMOS 工藝中，多晶硅的厚度約為 。 4. 淀積多晶硅柵 在 NMOS 工藝中，多晶硅的厚度約為 。 InitialSiliconStructurewith100Orientation init silicon = orientation=100 2 柵氧化 將要在硅片的表面生長一層?xùn)叛趸瘜樱@個(gè)工藝條件為 950 度下干氧氧化11 分鐘，環(huán)境為 3%的 HCL，一個(gè)大氣壓語句如下： GateOxidation Diffu stime=11 temp=950 dryo2 press= =3 3 閾值電壓調(diào)整 我們將實(shí)現(xiàn)一個(gè)閾值電壓調(diào)節(jié)注入的工藝，它是通過能量為 10KeV，劑量為 2x1011cm2 實(shí)現(xiàn)的。 選擇 =2。 四．測試結(jié)果 測試結(jié)果分析 在這一部分，我們將提取這半個(gè) NMOS 結(jié)構(gòu)的一些器件參數(shù) ,這些參數(shù)包括： ++源漏方塊電阻 LDD 區(qū)的方塊電阻 計(jì)算結(jié)深的語句如下： extract name=nxj xj silicon =1 = =1 獲取 N++源 /漏極薄層電阻 extract name=n++ sheet rho material=Silicon =1 = =1 測量溝道閾值電壓 extract name=n1dvt 1dvt ntype vb= qss=1e10 = 在這條 extract 語句中， 1dvt 指測量一維閾值電壓； ntype 指器件類型；= 為器件溝道內(nèi)一點(diǎn)； qss=1e10 指濃度為 1e10cm3 的表面態(tài)電荷； vb= 柵極偏置 0V。 1描述輸出特性曲線并繪出。 進(jìn)行向右鏡像操作，形成完整的
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