eda課程設(shè)計報告n溝道m(xù)os管工藝模擬與器件模擬-免費(fèi)閱讀
【正文】 solve vgate= outf=solve_tmp1 solve vgate= outf=solve_tmp2 solve vgate= outf=solve_tmp3 load infile=solve_tmp1 log outf= solve name=drain vdrain=0 vfinal= vstep= 從 load 到 solve 語句為止的語句組會生成 Vgs= 時的 IdVds 曲線數(shù)據(jù)。對于 MOS 結(jié)構(gòu)來說，可以使用非耦合的 GUMMEL 法和耦合的 NEWTON 法。 語句如下： structure mirror right 14保存 ATHENA 結(jié)構(gòu)文件 完成設(shè)計之后有必要對結(jié)構(gòu)進(jìn)行保存及初始化。淀積的厚度為。 語句如下： depo poly thick= divi=10 這里需要 10 個網(wǎng)絡(luò)層來仿真雜質(zhì)在多晶硅層中的傳輸 。 溝道表面摻雜濃度 extract name=chan surf conc impurity=Net Doping \ material=Silicon =1 = 抽取參數(shù) nxj= um n++ sheet rho= ohm/square n1dvt= V chan surf conc=+016 atoms/cm3 . NMOS 輸出特性曲線族 ATLAS extract max current and saturation slope ATLAS EXTRACT init infile= EXTRACT extract name=nidsmax max(i.drain) nidsmax= EXTRACT extract name=sat_slope slope(minslope(curve(v.drain,i.drain))) sat_slope= EXTRACT quit 抽取參數(shù) nidsmax= sat_slope= . 轉(zhuǎn)移特性曲線 . 提取 MOS 管的閾值電壓和 ? 值 抽取參數(shù) nvt= nbeta= nsubvt= Silvaco 模擬仿真 NMOS 流程 的 NMOS 工藝仿真 1. 襯底初始化 默認(rèn)情況下，材料為 Silicon并且其晶向?yàn)?100 硅材料摻雜質(zhì) Boron，這樣就選擇了硼為襯底的摻雜雜質(zhì)，設(shè)置背景摻雜濃度為： 。 淀積氧化層，然后再進(jìn)行刻蝕，以進(jìn)行下一步的源漏區(qū)注入。 進(jìn)行器件模擬，要求得到 NMOS 輸出特性曲線族以及特定漏極電壓下的轉(zhuǎn)移特性曲線，并從中提取 MOS 管的閾值電壓和 ? 值。 分析各關(guān)鍵工藝步驟對器件性能的影響。 進(jìn)行源漏 砷離子的注入，劑量為 4e15，能量為 40kev。 選擇 =2。 6多晶氧化 接下來定義多晶硅的柵極，將多晶硅柵極網(wǎng)格邊緣定義為 x=，中心網(wǎng)格定義為 。 depo oxide thick= divisions=8 9 側(cè)墻氧化隔離的形成 為了形成氧化隔離，必須進(jìn)行干刻蝕。點(diǎn)擊 Save 建立新的文件名 。 簡單來說， Gummel 法將對每個未知量輪流求解，同時保持其他變量不變，不斷重復(fù)這個過程，直到能夠得到穩(wěn)定的解，而 Newton 法將會對整個系統(tǒng)的所有未知量一起求解。如果要生成 Vgs=， Vgs= 時的 IdVds 曲線數(shù)據(jù)，只要重復(fù)這三個語句即可。 抽取參數(shù) nvt= nbeta= nsubvt= (2)生成曲線族 要在 Vgs 分別為 ， ， 時生成 IdVds 曲線族， Vds 變化范圍為 0~。 3 求解命令集 接下來，我們將要為仿真選擇數(shù)值計算的方法，對于半導(dǎo)體器件的問題，有幾種不同的方法可以使用。 溝道表面摻雜濃度 extract name=chan surf conc impurity=Net Doping \ material=Silicon =1 = 抽取參數(shù) nxj= um n++ sheet rho= ohm/square n1dvt= V chan surf conc=+016 atoms/cm3 13 半個 NMOS 結(jié)構(gòu)的鏡像 前面構(gòu)建了半個 NMOS 結(jié)構(gòu)，要得到完整的結(jié)構(gòu)，就需要在向器件仿真器輸出結(jié)構(gòu)或電極命名之前完成。 語句為： diffuse time=3 temp=900 weto2 press
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