eda課程設計報告n溝道m(xù)os管工藝模擬與器件模擬-wenkub
2022-10-18 08:06:12 本頁面
【正文】 name=nxj xj silicon =1 = =1 獲取 N++源 /漏極薄層電阻 extract name=n++ sheet rho material=Silicon =1 = =1 測量溝道閾值電壓 extract name=n1dvt 1dvt ntype vb= qss=1e10 = 在這條 extract 語句中， 1dvt 指測量一維閾值電壓； ntype 指器件類型；= 為器件溝道內(nèi)一點； qss=1e10 指濃度為 1e10cm3 的表面態(tài)電荷； vb= 柵極偏置 0V。 InitialSiliconStructurewith100Orientation init silicon = orientation=100 2 柵氧化 將要在硅片的表面生長一層柵氧化層，這個工藝條件為 950 度下干氧氧化11 分鐘，環(huán)境為 3%的 HCL，一個大氣壓語句如下： GateOxidation Diffu stime=11 temp=950 dryo2 press= =3 3 閾值電壓調(diào)整 我們將實現(xiàn)一個閾值電壓調(diào)節(jié)注入的工藝，它是通過能量為 10KeV，劑量為 2x1011cm2 實現(xiàn)的。 5 多晶硅柵定義 在 NMOS 工藝中，多晶硅的厚度約為 。 etch poly left = 刻蝕后的圖形如下圖： 7 多晶摻雜 在定義好多晶柵后，接下來的步驟是多晶注入前的多晶氧化多晶氧化。 語句為： diffuse time=3 temp=900 weto2 press= 8 側(cè)離氧化層淀積 在源極和漏極植入之前，需要進行側(cè)墻隔離氧化層的淀積。 語句 如下： etch oxide dry thick= 10 源 /漏極注入和退火 現(xiàn)在，我們來通過注入砷進行源漏的注入，這會形成晶體管的 n+源漏。 溝道表面摻雜濃度 extract name=chan surf conc impurity=Net Doping \ material=Silicon =1 = 抽取參數(shù) nxj= um n++ sheet rho= ohm/square n1dvt= V chan surf conc=+016 atoms/cm3 13 半個 NMOS 結(jié)構(gòu)的鏡像 前面構(gòu)建了半個 NMOS 結(jié)構(gòu)，要得到完整的結(jié)構(gòu)，就需要在向器件仿真器輸出結(jié)構(gòu)或電極命名之前完成。 models cvt srh print (2) 設置接觸特性 與半導體材料接觸在一起的電極默認情況下假設為歐姆接觸，如果電極上定義了功函數(shù)，那么這個電極就認為是肖特基接觸。 3 求解命令集 接下來，我們將要為仿真選擇數(shù)值計算的方法，對于半導體器件的問題，有幾種不同的方法可以使用。這個命令將提供零偏壓（或熱平衡）情況下勢能和載流子 濃度的初始猜想值（ 2） 獲取器件參數(shù)。 抽取參數(shù) nvt= nbeta= nsubvt= (2)生成曲線族 要在 Vgs 分別為 ， ， 時生成 IdVds 曲線族， Vds 變化范圍為 0~。 各關鍵工 藝對器件性能的影響 氧化工藝模擬 不同摻雜濃度對氧化速率的影響 （ 1） implant boron dose=3e15 energy=20 所得結(jié)果 ： EXTRACT extract name=toxlow thickness material=SiO~2 =1 = toxlow= angstroms ( um) = EXTRACT extract name=toxhigh thickness material=SiO~2 =1 = toxhigh= angstroms ( um) = （ 2） implant boron dose=3e17 energy=20 所得結(jié)果： EXTRACT extract name=toxlow thickness material=SiO~2 =1 = toxlow= angstroms ( um) = EXTRACT extract name=toxhigh thickness material=SiO~2 =1 = toxhigh= angstroms ( um) = （ 1）氧化層厚度對離子注入的影響 （ 2）離子注入劑量與雜質(zhì)分布的關 擴散工藝模擬 不同擴散模型的選擇對模擬結(jié)的影響
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