eda課程設(shè)計(jì)報(bào)告n溝道m(xù)os管工藝模擬與器件模擬(更新版)
【正文】 s*.log quit 輸出特性曲線部分 go atlas mesh infile= set material models models cvt srh print contact name=gate interface qf=3e10 get initial solution solve init method newton trap solve prev Bias the drain a bit... solve vdrain= vstep= vfinal= name=drain solve vdrain= Ramp the gate to a volt... log outf= master solve vgate=0 vstep= vfinal= name=gate extract device parameters extract name=nvt(xintercept(maxslope(curve(abs(v.gate),abs(i.drain)))) abs(ave(v.drain))/) extract name=nbeta slope(maxslope(curve(abs(v.gate),abs(i.drain))))* ((ave(v.drain))) extract the device parameter SubVt... extract init inf= extract name=nsubvt (maxslope(curve(abs(v.gate),log10(abs(i.drain))))) tonyplot 。 extract name=nbeta slope(maxslope(curve(abs(v.gate),abs(i.drain))))\ * ((ave(v.drain))) 此語句提取 ? 值 。使用“ Contact”命令來設(shè)置 n型多晶硅柵的功函數(shù)： contact name=gate (3) 設(shè)置界面特性 為了設(shè)置 NMOS 結(jié)構(gòu)的界面特性，需要使用“ Interface”命令，這個(gè)命令用于定義在半導(dǎo)體和絕緣體之間的界面上的界面電 荷密度和表面復(fù)合速率。金屬化工藝步驟是首先在源漏區(qū)域形成接觸孔窗口。 fermi 模型通常用于沒有損傷的襯底，并且摻雜濃度小于 1x1020cm3。 4. 淀積多晶硅柵 在 NMOS 工藝中，多晶硅的厚度約為 。 1描述輸出特性曲線并繪出。 生長柵氧化層，嚴(yán)格控制各參數(shù)。 天津工業(yè)大學(xué) 畢業(yè)實(shí)踐實(shí)習(xí)報(bào)告 N溝道 MOS管工藝模擬與器件模擬 班 級(jí)： 電科 1103 學(xué) 號(hào)： 1110940316 姓 名： 汪兆明 成 績： 2020 年 4 月 1 日 一、實(shí)踐目的 熟練氧化、離子注入與擴(kuò)散工藝，使用 Silvaco 軟件進(jìn)行模擬，掌握 CMOS工藝流程。 由于本實(shí)驗(yàn)運(yùn)用了 cmos 工藝，所以先在襯底上做一個(gè) p阱，嚴(yán)格定義 p阱的濃度，注入能量，以及阱區(qū)的推進(jìn)。 1抽取源漏結(jié)深，閾值電壓， n+區(qū)薄層電阻，溝道表面摻雜濃度，輕摻雜源漏區(qū)的薄層電阻等參數(shù)。 硼雜質(zhì)的摻雜分布將會(huì)如圖所示顯現(xiàn)出來。 氧化條件是 3分鐘， 900 度， 1 個(gè)大氣壓下的濕法氧化。 源漏注入砷注入的劑量使用： 3x1015cm3，注入能量為： 50KeV. implant arsenic dose= energy=50 pearson 源漏注入后接下來將是快速退火工藝，條件是： 氮?dú)鈿夥眨?1分鐘， 900度， 1個(gè)大氣壓 method fermi press diffuse time=1 temp=900 nitro press= 11 金屬化 在形成源漏區(qū)域以后，下個(gè)工藝步驟是金屬化這個(gè)區(qū)域金屬化。 命令“ Contact”用來設(shè)置電極的金屬功函數(shù)。 c.“ Log”命令用來將 ATLAS 所仿真出來的結(jié)果 存入到文件 中 “ Solve”命令將以 為步距，從 0V 到 3V 掃描柵電極 extract name=nvt (xintercept(maxslope(curve(abs(v.gate),abs(i.drain)))) \ abs(ave(v.drain))/) 此語句提取閾值電壓 Vt
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