eda課程設(shè)計報告n溝道m(xù)os管工藝模擬與器件模擬-wenkub.com
2025-09-23 08:06 本頁面
【正文】 為畫出曲線族，用如下語句： tonyplot overlay st 此語句 overlay 指在一張圖中含蓋三個 plot 文件。 extract name=ntheta ((max(abs(v.drain)) * $nbeta)/max(abs(i.drain))) \ ( / (max(abs(v.gate)) ($nvt))) 此語句提取 theta 值。 method gummel newton 4 解決方法命令組 （ 1） Vds= 時，獲得 IdVgs 轉(zhuǎn)移特性曲線 語句如下： solve init solve vdrain= log outf= master solve vgate=0 vstep= vfinal= name=gate “ solveinit”命令 “ Solve”命令，也就是“ solvevdrain=”將在漏電極上設(shè)置 的直流偏壓。 為了定義硅和二氧化硅之間的界面上存在的固定電荷密度 3x1010cm2：interface qf=3e10。在文本編輯區(qū)里輸入如下語句： structure outfile= . 使用 ATLAS 的 NMOS 器件仿真 1 概述 在這一部分，我們將對一個 NMOS 器件結(jié)構(gòu)進行器件仿真 Vds= 偏壓下的曲線： ，例如 Vt,Beta 和 Vgs 偏置情況下的 曲線簇 2 模型命令集 (1) 設(shè)置模型 對于簡單的 MOS 仿真，推薦使用參數(shù) SRH 和 CVT SRH 是 ShockleyReadHall 復合模型，而 CVT 模型是來自于 Lombardi 的反型層模型，這個 CVT 模型設(shè)置了通用的遷移率模型，包括 了濃度、溫度、平行電場和橫向電場的影響。 為了在源漏區(qū)域形成接觸孔窗口，將氧化層在 x= m的位置刻蝕到左邊 etch oxide left = 12獲取器件參數(shù) 在這一部分，我們將提取這半個 NMOS 結(jié)構(gòu)的一些器件參數(shù) ,這些參數(shù)包括： ++源漏方塊電阻 LDD 區(qū)的方塊電阻 計算結(jié)深的語句如下： extract name=nxj xj silicon =1 = =1 獲取 N++源 /漏極薄層電阻 extract name=n++ sheet rho material=Silicon =1 = =1 測量溝道閾值電壓 extract name=n1dvt 1dvt ntype vb= qss=1e10 = 在這條 extract 語句 中， 1dvt 指測量一維閾值電壓； ntype 指器件類型；= 為器件溝道內(nèi)一點； qss=1e10 指濃度為 1e10cm3 的表面態(tài)電荷； vb= 柵極偏置 0V?？涛g厚度為 。 由于氧化是在一 個圖形化（即非平面）以及沒有損傷的多晶上進行的，所以使用的模型將會是 fermi 以及 press，而 press 模型用于模擬非等平面結(jié)構(gòu)和2維的氧化工藝。對多晶硅從左邊 x= 開始刻蝕。 語句如下： depo poly thick= divi=10 這里需要 10 個網(wǎng)絡(luò)層來仿真雜質(zhì)在多晶硅層中的傳輸 。這將強制使得仿真在兩維中進行 初始化信息如下所示。 1描述轉(zhuǎn)移特性曲線并繪出，同時從中提取 MOS 管的閾值電壓和 ? 值。 淀積鋁，形成 S/D 金屬接觸。 diffus time=10 temp=950 dryo2 press= =3 淀積多晶硅，其厚度為 。 三 、 操作步驟 啟動 silvaco 軟件。學會用 Silvaco 軟件提 取 MOS 晶體管的各種參數(shù)，掌握用 SILVACO工具對 MOS 晶體管進行器件模擬 二、實踐要求 用 Anthena 構(gòu)建一個 NMOS 管，要求溝道長度不小于 微米，閾值電壓在 至 1V 之間。 工藝模擬過程要求提取 S/D 結(jié)結(jié)深、閾值電壓、溝道表面摻雜濃度、 S/D區(qū)薄層電阻等參數(shù)。 創(chuàng)建一個網(wǎng)格并定義襯底的參數(shù)。 刻蝕掉 x= 左面的多晶硅，然后低劑量注入磷離子，形成輕摻雜層，劑量為 3e13，能量為 20kev。 進行向右鏡像操作，形成完整的 nmos 結(jié)構(gòu)并定義電極。 四．測試結(jié)果 測試結(jié)果分析 在這一部分，我們將提取這半個 NMOS 結(jié)構(gòu)的一些器件參數(shù) ,這些參數(shù)包括： ++源漏方塊電阻 LDD 區(qū)的方塊電阻 計算結(jié)深的語句如下： extract
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