eda課程設計報告n溝道m(xù)os管工藝模擬與器件模擬(存儲版)
【正文】 = 8 側離氧化層淀積 在源極和漏極植入之前，需要進行側墻隔離氧化層的淀積。 5 多晶硅柵定義 在 NMOS 工藝中，多晶硅的厚度約為 。 四．測試結果 測試結果分析 在這一部分，我們將提取這半個 NMOS 結構的一些器件參數(shù) ,這些參數(shù)包括： ++源漏方塊電阻 LDD 區(qū)的方塊電阻 計算結深的語句如下： extract name=nxj xj silicon =1 = =1 獲取 N++源 /漏極薄層電阻 extract name=n++ sheet rho material=Silicon =1 = =1 測量溝道閾值電壓 extract name=n1dvt 1dvt ntype vb= qss=1e10 = 在這條 extract 語句中， 1dvt 指測量一維閾值電壓； ntype 指器件類型；= 為器件溝道內一點； qss=1e10 指濃度為 1e10cm3 的表面態(tài)電荷； vb= 柵極偏置 0V。 刻蝕掉 x= 左面的多晶硅，然后低劑量注入磷離子，形成輕摻雜層，劑量為 3e13，能量為 20kev。 工藝模擬過程要求提取 S/D 結結深、閾值電壓、溝道表面摻雜濃度、 S/D區(qū)薄層電阻等參數(shù)。 三 、 操作步驟 啟動 silvaco 軟件。 淀積鋁，形成 S/D 金屬接觸。這將強制使得仿真在兩維中進行 初始化信息如下所示。對多晶硅從左邊 x= 開始刻蝕?？涛g厚度為 。在文本編輯區(qū)里輸入如下語句： structure outfile= . 使用 ATLAS 的 NMOS 器件仿真 1 概述 在這一部分，我們將對一個 NMOS 器件結構進行器件仿真 Vds= 偏壓下的曲線： ，例如 Vt,Beta 和 Vgs 偏置情況下的 曲線簇 2 模型命令集 (1) 設置模型 對于簡單的 MOS 仿真，推薦使用參數(shù) SRH 和 CVT SRH 是 ShockleyReadHall 復合模型，而 CVT 模型是來自于 Lombardi 的反型層模型，這個 CVT 模型設置了通用的遷移率模型，包括 了濃度、溫度、平行電場和橫向電場的影響。 method gummel newton 4 解決方法命令組 （ 1） Vds= 時，獲得 IdVgs 轉移特性曲線 語句如下： solve init solve vdrain= log outf= master solve vgate=0 vstep= vfinal= name=gate “ solveinit”命令 “ Solve”命令，也就是“ solvevdrain=”將在漏電極上設置 的直流偏壓。 為畫出曲線族，用如下語句： tonyplot overlay st 此語句 overlay 指在一張圖中含蓋三個 plot 文件。 extract name=ntheta ((max(abs(v.drain)) * $nbeta)/max(abs(i.drain))) \ ( / (max(abs(v.gate)) ($nvt))) 此語句提取 theta 值。 為了定義硅和二氧化硅之間的界面上存在的固定電荷密度 3x1010cm2：interface qf=3e10。 為了在源漏區(qū)域形成接觸孔窗口，將氧化層在 x= m的位置刻蝕到左邊 etch oxide left = 12獲取器件參數(shù) 在這一部分，我們將提取這半個 NMOS 結構的一些器件參數(shù) ,這些參數(shù)包括： ++源漏方塊電阻 LDD 區(qū)的方塊電阻 計算結深的語句如下： extract name=nxj xj silicon =1 = =1 獲取 N++源 /漏極薄層電阻 extract name=n++ sheet rho material=Silicon =1 = =1 測量溝道閾值電壓 extract name=n1dvt 1dvt ntype vb= qss=1e10 = 在這條 extract 語句 中， 1dvt 指測量一維閾值電壓； ntype 指器件類型；= 為器件溝道內一點； qss=1e10 指濃度為 1e10cm3 的表面態(tài)電荷； vb= 柵極偏置 0V。 由于氧化是在一 個圖形化（即非平面）以及沒有損傷的多晶上進行的，所以使用的模型將會是 fermi 以及 pre
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