eda課程設(shè)計報告n溝道m(xù)os管工藝模擬與器件模擬(已修改)
2024-10-23 08:06 本頁面
【正文】 天津工業(yè)大學(xué) 畢業(yè)實踐實習(xí)報告 N溝道 MOS管工藝模擬與器件模擬 班 級： 電科 1103 學(xué) 號： 1110940316 姓 名： 汪兆明 成 績： 2020 年 4 月 1 日 一、實踐目的 熟練氧化、離子注入與擴(kuò)散工藝，使用 Silvaco 軟件進(jìn)行模擬，掌握 CMOS工藝流程。學(xué)會用 Silvaco 軟件提 取 MOS 晶體管的各種參數(shù)，掌握用 SILVACO工具對 MOS 晶體管進(jìn)行器件模擬 二、實踐要求 用 Anthena 構(gòu)建一個 NMOS 管，要求溝道長度不小于 微米，閾值電壓在 至 1V 之間。 工藝模擬過程要求提取 S/D 結(jié)結(jié)深、閾值電壓、溝道表面摻雜濃度、 S/D區(qū)薄層電阻等參數(shù)。 進(jìn)行器件模擬，要求得到 NMOS 輸出特性曲線族以及特定漏極電壓下的轉(zhuǎn)移特性曲線，并從中提取 MOS 管的閾值電壓和 ? 值。 分析各關(guān)鍵工藝步驟對器件性能的影響。 三 、 操作步驟 啟動 silvaco 軟件。 創(chuàng)建一個網(wǎng)格并定義襯底的參數(shù)。 由于本實驗運用了 cmos 工藝，所以先在襯底上做一個 p阱，嚴(yán)格定義 p阱的濃度，注入能量，以及阱區(qū)的推進(jìn)。 生長柵氧化層，嚴(yán)格控制各參數(shù)。 diffus time=10 temp=950 dryo2 press= =3 淀積多晶硅，其厚度為 。 刻蝕掉 x= 左面的多晶硅，然后低劑量注入磷離子，形成輕摻雜層，劑量為 3e13，能量為 20kev。 淀積氧化層，然后再進(jìn)行刻蝕，以進(jìn)行下一步的源漏區(qū)注入。 進(jìn)行源漏 砷離子的注入，劑量為 4e15，能量為 40kev。 淀積鋁，形成 S/D 金屬接觸。 進(jìn)行向右鏡像操作，形成完整的 nmos 結(jié)構(gòu)并定義電極。 1抽取源漏結(jié)深，閾值電壓， n+區(qū)薄層電阻，溝道表面摻雜濃度，輕摻雜源漏區(qū)的薄層電阻等參數(shù)。 1描述輸出特性曲線并繪出。 1描述轉(zhuǎn)移特性曲線并繪出，同時從中提取 MOS 管的閾值電壓和 ? 值。 四．測試結(jié)果 測試結(jié)果分析 在這一部分，我們將提取這半個 NMOS 結(jié)構(gòu)的一些器件參數(shù) ,這些參數(shù)包括： ++源漏方塊電阻 LDD 區(qū)的方塊電阻 計算結(jié)深的語句如下： extract name=nxj xj silicon =1 = =1 獲取 N++源 /漏極薄層電阻 extract name=n++ sheet rho material=Silicon =1 = =1 測量溝道閾值電壓 extract name=n1dvt 1dvt ntype vb= qss=1e10 = 在這條 extract 語句中， 1dvt 指測量一維閾值電壓； ntype 指器件類型；= 為器件溝道內(nèi)一點； qss=1e10 指濃度為 1e10cm3 的表面態(tài)電荷； vb= 柵極偏置 0V。 溝道表面摻雜濃度 extract name=chan surf conc impurity=Net Doping \ material=Silicon =1 = 抽取參數(shù) nxj= um n++ sheet rho= ohm/square n1dvt= V chan surf conc=+016 atoms/cm3 . NMOS 輸出特性曲線族 ATLAS extract max current and saturation slope ATLAS EXTRACT init infile= EXTRACT extract name=nidsmax max(i.drain) nidsmax= EXTRACT extract name=sat_slope slope(minslope(curve(v.drain,i.drain))) sat_slope= EXTRACT quit 抽取參數(shù) nidsmax= sat_slope= . 轉(zhuǎn)移特性曲線 . 提取 MOS 管的閾值電壓和 ? 值 抽取參數(shù) nvt= nbeta= nsubv
試題試卷相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1