【正文】 c.“ Log”命令用來(lái)將 ATLAS 所仿真出來(lái)的結(jié)果 存入到文件 中 “ Solve”命令將以 為步距，從 0V 到 3V 掃描柵電極 extract name=nvt (xintercept(maxslope(curve(abs(v.gate),abs(i.drain)))) \ abs(ave(v.drain))/) 此語(yǔ)句提取閾值電壓 Vt。 源漏注入砷注入的劑量使用： 3x1015cm3，注入能量為： 50KeV. implant arsenic dose= energy=50 pearson 源漏注入后接下來(lái)將是快速退火工藝，條件是： 氮?dú)鈿夥眨?1分鐘， 900度， 1個(gè)大氣壓 method fermi press diffuse time=1 temp=900 nitro press= 11 金屬化 在形成源漏區(qū)域以后，下個(gè)工藝步驟是金屬化這個(gè)區(qū)域金屬化。 硼雜質(zhì)的摻雜分布將會(huì)如圖所示顯現(xiàn)出來(lái)。 由于本實(shí)驗(yàn)運(yùn)用了 cmos 工藝，所以先在襯底上做一個(gè) p阱，嚴(yán)格定義 p阱的濃度，注入能量，以及阱區(qū)的推進(jìn)。 生長(zhǎng)柵氧化層，嚴(yán)格控制各參數(shù)。 4. 淀積多晶硅柵 在 NMOS 工藝中，多晶硅的厚度約為 。金屬化工藝步驟是首先在源漏區(qū)域形成接觸孔窗口。 extract name=nbeta slope(maxslope(curve(abs(v.gate),abs(i.drain))))\ * ((ave(v.drain))) 此語(yǔ)句提取 ? 值 。這個(gè)命令將提供零偏壓（或熱平衡）情況下勢(shì)能和載流子 濃度的初始猜想值（ 2） 獲取器件參數(shù)。 語(yǔ)句 如下： etch oxide dry thick= 10 源 /漏極注入和退火 現(xiàn)在，我們來(lái)通過(guò)注入砷進(jìn)行源漏的注入，這會(huì)形成晶體管的 n+源漏。 InitialSiliconStructurewith100Orientation init silicon = orientation=100 2 柵氧化 將要在硅片的表面生長(zhǎng)一層?xùn)叛趸瘜?，這個(gè)工藝條件為 950 度下干氧氧化11 分鐘，環(huán)境為 3%的 HCL，一個(gè)大氣壓語(yǔ)句如下： GateOxidation Diffu stime=11 temp=950 dryo2 press= =3 3 閾值電壓調(diào)整 我們將實(shí)現(xiàn)一個(gè)閾值電壓調(diào)節(jié)注入的工藝，它是通過(guò)能量為 10KeV，劑量為 2x1011cm2 實(shí)現(xiàn)的。 創(chuàng)建一個(gè)網(wǎng)格并定義襯底的參數(shù)。 diffus time=10 temp=950 dryo2 press= =3 淀積多晶硅，其厚度為 。 語(yǔ)句如下： depo poly thick= divi=10 這里需要 10 個(gè)網(wǎng)絡(luò)層來(lái)仿真雜質(zhì)在多晶硅層中的傳輸 。 為了在源漏區(qū)域形成接觸孔窗口，將氧化層在 x= m的位置刻蝕到左邊 etch oxide left = 12獲取器件參數(shù) 在這一部分，我們將提取這半個(gè) NMOS 結(jié)構(gòu)的一些器件參數(shù) ,這些參數(shù)包括： ++源漏方塊電阻 LDD 區(qū)的方塊電阻 計(jì)算結(jié)深的語(yǔ)句如下： extract name=nxj xj silicon =1 = =1 獲取 N++源 /漏極薄層電阻 extract name=n++ sheet rho material=Silicon =1 = =1 測(cè)量溝道閾值電壓 extract name=n1dvt 1dvt ntype vb= qss=1e10 = 在這條 extract 語(yǔ)句 中， 1dvt 指測(cè)量一維閾值電壓； ntype 指器件類型；= 為器件溝道內(nèi)一點(diǎn)； qss=1e10 指濃度為 1e10cm3 的表面態(tài)電荷； vb= 柵極偏置 0V。 extract name=ntheta ((max(abs(v.drain)) * $nbeta)/max(abs(i.drain))) \ ( / (max(abs(v.gate)) ($nvt))) 此語(yǔ)句提取 theta 值。 method gummel newton 4 解決方法命令組 （ 1） Vds= 時(shí)，獲得 IdVgs 轉(zhuǎn)移特性曲線 語(yǔ)句如下： solve init solve vdrain= log outf= master solve vgate=0 vstep= vfinal= name=gate “ solveinit”命令 “ Solve”命令，也就是“ solv