【正文】 evdrain=”將在漏電極上設置 的直流偏壓。刻蝕厚度為 。這將強制使得仿真在兩維中進行 初始化信息如下所示。 三 、 操作步驟 啟動 silvaco 軟件。 刻蝕掉 x= 左面的多晶硅，然后低劑量注入磷離子，形成輕摻雜層，劑量為 3e13，能量為 20kev。 5 多晶硅柵定義 在 NMOS 工藝中，多晶硅的厚度約為 。 溝道表面摻雜濃度 extract name=chan surf conc impurity=Net Doping \ material=Silicon =1 = 抽取參數(shù) nxj= um n++ sheet rho= ohm/square n1dvt= V chan surf conc=+016 atoms/cm3 13 半個 NMOS 結(jié)構(gòu)的鏡像 前面構(gòu)建了半個 NMOS 結(jié)構(gòu)，要得到完整的結(jié)構(gòu)，就需要在向器件仿真器輸出結(jié)構(gòu)或電極命名之前完成。 抽取參數(shù) nvt= nbeta= nsubvt= (2)生成曲線族 要在 Vgs 分別為 ， ， 時生成 IdVds 曲線族， Vds 變化范圍為 0~。 簡單來說， Gummel 法將對每個未知量輪流求解，同時保持其他變量不變，不斷重復這個過程，直到能夠得到穩(wěn)定的解，而 Newton 法將會對整個系統(tǒng)的所有未知量一起求解。 depo oxide thick= divisions=8 9 側(cè)墻氧化隔離的形成 為了形成氧化隔離，必須進行干刻蝕。 選擇 =2。 分析各關(guān)鍵工藝步驟對器件性能的影響。 淀積氧化層，然后再進行刻蝕，以進行下一步的源漏區(qū)注入。 語句如下： depo poly thick= divi=10 這里需要 10 個網(wǎng)絡層來仿真雜質(zhì)在多晶硅層中的傳輸 。 語句如下： structure mirror right 14保存 ATHENA 結(jié)構(gòu)文件 完成設計之后有必要對結(jié)構(gòu)進行保存及初始化。 solve vgate= outf=solve_tmp1 solve vgate= outf=solve_tmp2 solve vgate= outf=solve_tmp3 load infile=solve_tmp1 log outf= solve name=drain vdrain=0 vfinal= vstep= 從 load 到 solve 語句為止的語句組會生成 Vgs= 時的 IdVds 曲線數(shù)據(jù)。對于 MOS 結(jié)構(gòu)來說，可以使用非耦合的 GUMMEL 法和耦合的 NEWTON 法。淀積的厚度為。 溝道表面摻雜濃度 extract name=chan surf conc impurity=Net Doping \ material=Silicon =1 = 抽取參數(shù) nxj= um n++ sheet rho= ohm/square n1dvt= V chan surf conc=+016 atoms/cm3 . NMOS 輸出特性曲線族 ATLAS extract max current and saturation slope ATLAS EXTRACT init infile= EXTRACT extract name=nidsmax max(i.drain) nidsmax= EXTRACT extract name=sat_slope slope(minslope(curve(v.drain,i.drain))) sat_slope= EXTRACT quit 抽取參數(shù) nidsmax= sat_slope= . 轉(zhuǎn)移特性曲線 . 提取 MOS 管的閾值電壓和 ? 值 抽取參數(shù) nvt= nbeta= nsubvt= Silvaco 模擬仿真 NMOS 流程 的 NMOS 工藝仿真 1. 襯底初始化 默認情況下，材料為 Silicon并且其晶向為 100 硅材料摻雜質(zhì) Boron，這樣就選擇了硼為襯底的摻雜雜質(zhì)，設置背景摻雜濃度為： 。 進行器件模擬，要求得到 NMOS 輸出特性曲線族以及特定漏極電壓下的轉(zhuǎn)移特性曲線，并從中提取 MOS 管的閾值電壓和 ? 值。 進行源漏 砷離子的注入，劑量為 4e15，能量為 40kev。 6多晶氧化 接下來定義多晶硅的柵極，將多晶硅柵極網(wǎng)格邊