eda課程設(shè)計(jì)報(bào)告n溝道m(xù)os管工藝模擬與器件模擬-文庫(kù)吧在線文庫(kù)
【正文】 ss，而 press 模型用于模擬非等平面結(jié)構(gòu)和2維的氧化工藝。 語(yǔ)句如下： depo poly thick= divi=10 這里需要 10 個(gè)網(wǎng)絡(luò)層來(lái)仿真雜質(zhì)在多晶硅層中的傳輸 。 1描述轉(zhuǎn)移特性曲線并繪出，同時(shí)從中提取 MOS 管的閾值電壓和 ? 值。 diffus time=10 temp=950 dryo2 press= =3 淀積多晶硅，其厚度為 。學(xué)會(huì)用 Silvaco 軟件提 取 MOS 晶體管的各種參數(shù)，掌握用 SILVACO工具對(duì) MOS 晶體管進(jìn)行器件模擬 二、實(shí)踐要求 用 Anthena 構(gòu)建一個(gè) NMOS 管，要求溝道長(zhǎng)度不小于 微米，閾值電壓在 至 1V 之間。 創(chuàng)建一個(gè)網(wǎng)格并定義襯底的參數(shù)。 進(jìn)行向右鏡像操作，形成完整的 nmos 結(jié)構(gòu)并定義電極。 InitialSiliconStructurewith100Orientation init silicon = orientation=100 2 柵氧化 將要在硅片的表面生長(zhǎng)一層?xùn)叛趸瘜樱@個(gè)工藝條件為 950 度下干氧氧化11 分鐘，環(huán)境為 3%的 HCL，一個(gè)大氣壓語(yǔ)句如下： GateOxidation Diffu stime=11 temp=950 dryo2 press= =3 3 閾值電壓調(diào)整 我們將實(shí)現(xiàn)一個(gè)閾值電壓調(diào)節(jié)注入的工藝，它是通過(guò)能量為 10KeV，劑量為 2x1011cm2 實(shí)現(xiàn)的。 etch poly left = 刻蝕后的圖形如下圖： 7 多晶摻雜 在定義好多晶柵后，接下來(lái)的步驟是多晶注入前的多晶氧化多晶氧化。 語(yǔ)句 如下： etch oxide dry thick= 10 源 /漏極注入和退火 現(xiàn)在，我們來(lái)通過(guò)注入砷進(jìn)行源漏的注入，這會(huì)形成晶體管的 n+源漏。 models cvt srh print (2) 設(shè)置接觸特性 與半導(dǎo)體材料接觸在一起的電極默認(rèn)情況下假設(shè)為歐姆接觸，如果電極上定義了功函數(shù)，那么這個(gè)電極就認(rèn)為是肖特基接觸。這個(gè)命令將提供零偏壓（或熱平衡）情況下勢(shì)能和載流子 濃度的初始猜想值（ 2） 獲取器件參數(shù)。 各關(guān)鍵工 藝對(duì)器件性能的影響 氧化工藝模擬 不同摻雜濃度對(duì)氧化速率的影響 （ 1） implant boron dose=3e15 energy=20 所得結(jié)果 ： EXTRACT extract name=toxlow thickness material=SiO~2 =1 = toxlow= angstroms ( um) = EXTRACT extract name=toxhigh thickness material=SiO~2 =1 = toxhigh= angstroms ( um) = （ 2） implant boron dose=3e17 energy=20 所得結(jié)果： EXTRACT extract name=toxlow thickness material=SiO~2 =1 = toxlow= angstroms ( um) = EXTRACT extract name=toxhigh thickness material=SiO~2 =1 = toxhigh= angstroms ( um) = （ 1）氧化層厚度對(duì)離子注入的影響 （ 2）離子注入劑量與雜質(zhì)分布的關(guān) 擴(kuò)散工藝模擬 不同擴(kuò)散模型的選擇對(duì)模擬結(jié)的影響 氧化對(duì)擴(kuò)散工藝的影響 附錄： 實(shí) 驗(yàn)程序 go athena 定義網(wǎng)格 X line x loc= spac= line x loc= spac= line x loc= spac= line x loc= spac= 定義網(wǎng)格 Y line y loc= spac= line y loc= spac= line y loc= spac= line y loc= spac= InitialSiliconStructurewith100Orientation初始硅的 100晶向 ,P型襯底 init silicon =4e14 orientation=100 =2 structure outfile= GateOxidation柵氧化 diffus time=12 temp=910 dryo2 press= =3 structure outfile= Extract a design parameter抽取設(shè)計(jì)參數(shù) extract name=gateox thickn
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