eda課程設(shè)計報告n溝道m(xù)os管工藝模擬與器件模擬-文庫吧在線文庫
【正文】 ss，而 press 模型用于模擬非等平面結(jié)構(gòu)和2維的氧化工藝。 語句如下： depo poly thick= divi=10 這里需要 10 個網(wǎng)絡(luò)層來仿真雜質(zhì)在多晶硅層中的傳輸 。 1描述轉(zhuǎn)移特性曲線并繪出，同時從中提取 MOS 管的閾值電壓和 ? 值。 diffus time=10 temp=950 dryo2 press= =3 淀積多晶硅，其厚度為 。學(xué)會用 Silvaco 軟件提 取 MOS 晶體管的各種參數(shù)，掌握用 SILVACO工具對 MOS 晶體管進(jìn)行器件模擬 二、實踐要求 用 Anthena 構(gòu)建一個 NMOS 管，要求溝道長度不小于 微米，閾值電壓在 至 1V 之間。 創(chuàng)建一個網(wǎng)格并定義襯底的參數(shù)。 進(jìn)行向右鏡像操作，形成完整的 nmos 結(jié)構(gòu)并定義電極。 InitialSiliconStructurewith100Orientation init silicon = orientation=100 2 柵氧化 將要在硅片的表面生長一層?xùn)叛趸瘜樱@個工藝條件為 950 度下干氧氧化11 分鐘，環(huán)境為 3%的 HCL，一個大氣壓語句如下： GateOxidation Diffu stime=11 temp=950 dryo2 press= =3 3 閾值電壓調(diào)整 我們將實現(xiàn)一個閾值電壓調(diào)節(jié)注入的工藝，它是通過能量為 10KeV，劑量為 2x1011cm2 實現(xiàn)的。 etch poly left = 刻蝕后的圖形如下圖： 7 多晶摻雜 在定義好多晶柵后，接下來的步驟是多晶注入前的多晶氧化多晶氧化。 語句 如下： etch oxide dry thick= 10 源 /漏極注入和退火 現(xiàn)在，我們來通過注入砷進(jìn)行源漏的注入，這會形成晶體管的 n+源漏。 models cvt srh print (2) 設(shè)置接觸特性 與半導(dǎo)體材料接觸在一起的電極默認(rèn)情況下假設(shè)為歐姆接觸，如果電極上定義了功函數(shù)，那么這個電極就認(rèn)為是肖特基接觸。這個命令將提供零偏壓（或熱平衡）情況下勢能和載流子 濃度的初始猜想值（ 2） 獲取器件參數(shù)。 各關(guān)鍵工 藝對器件性能的影響 氧化工藝模擬 不同摻雜濃度對氧化速率的影響 （ 1） implant boron dose=3e15 energy=20 所得結(jié)果 ： EXTRACT extract name=toxlow thickness material=SiO~2 =1 = toxlow= angstroms ( um) = EXTRACT extract name=toxhigh thickness material=SiO~2 =1 = toxhigh= angstroms ( um) = （ 2） implant boron dose=3e17 energy=20 所得結(jié)果： EXTRACT extract name=toxlow thickness material=SiO~2 =1 = toxlow= angstroms ( um) = EXTRACT extract name=toxhigh thickness material=SiO~2 =1 = toxhigh= angstroms ( um) = （ 1）氧化層厚度對離子注入的影響 （ 2）離子注入劑量與雜質(zhì)分布的關(guān) 擴(kuò)散工藝模擬 不同擴(kuò)散模型的選擇對模擬結(jié)的影響 氧化對擴(kuò)散工藝的影響 附錄： 實 驗程序 go athena 定義網(wǎng)格 X line x loc= spac= line x loc= spac= line x loc= spac= line x loc= spac= 定義網(wǎng)格 Y line y loc= spac= line y loc= spac= line y loc= spac= line y loc= spac= InitialSiliconStructurewith100Orientation初始硅的 100晶向 ,P型襯底 init silicon =4e14 orientation=100 =2 structure outfile= GateOxidation柵氧化 diffus time=12 temp=910 dryo2 press= =3 structure outfile= Extract a design parameter抽取設(shè)計參數(shù) extract name=gateox thickn
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