eda課程設(shè)計報告n溝道m(xù)os管工藝模擬與器件模擬-文庫吧
2024-09-17 08:06 本頁面
【正文】 t= Silvaco 模擬仿真 NMOS 流程 的 NMOS 工藝仿真 1. 襯底初始化 默認情況下，材料為 Silicon并且其晶向為 100 硅材料摻雜質(zhì) Boron，這樣就選擇了硼為襯底的摻雜雜質(zhì)，設(shè)置背景摻雜濃度為： 。 選擇 =2。這將強制使得仿真在兩維中進行 初始化信息如下所示。 InitialSiliconStructurewith100Orientation init silicon = orientation=100 2 柵氧化 將要在硅片的表面生長一層?xùn)叛趸瘜?，這個工藝條件為 950 度下干氧氧化11 分鐘，環(huán)境為 3%的 HCL，一個大氣壓語句如下： GateOxidation Diffu stime=11 temp=950 dryo2 press= =3 3 閾值電壓調(diào)整 我們將實現(xiàn)一個閾值電壓調(diào)節(jié)注入的工藝，它是通過能量為 10KeV，劑量為 2x1011cm2 實現(xiàn)的。 硼雜質(zhì)的摻雜分布將會如圖所示顯現(xiàn)出來。 4. 淀積多晶硅柵 在 NMOS 工藝中，多晶硅的厚度約為 。 語句如下： depo poly thick= divi=10 這里需要 10 個網(wǎng)絡(luò)層來仿真雜質(zhì)在多晶硅層中的傳輸 。 5 多晶硅柵定義 在 NMOS 工藝中，多晶硅的厚度約為 。 語句如下： depo poly thick= divi=10 這里需要 10 個網(wǎng)絡(luò)層來仿真雜質(zhì)在多晶硅層中的傳輸 。 6多晶氧化 接下來定義多晶硅的柵極，將多晶硅柵極網(wǎng)格邊緣定義為 x=，中心網(wǎng)格定義為 。對多晶硅從左邊 x= 開始刻蝕。 etch poly left = 刻蝕后的圖形如下圖： 7 多晶摻雜 在定義好多晶柵后，接下來的步驟是多晶注入前的多晶氧化多晶氧化。 氧化條件是 3分鐘， 900 度， 1 個大氣壓下的濕法氧化。 fermi 模型通常用于沒有損傷的襯底，并且摻雜濃度小于 1x1020cm3。 由于氧化是在一 個圖形化（即非平面）以及沒有損傷的多晶上進行的，所以使用的模型將會是 fermi 以及 press，而 press 模型用于模擬非等平面結(jié)構(gòu)和2維的氧化工藝。 語句為： diffuse time=3 temp=900 weto2 press= 8 側(cè)離氧化層淀積 在源極和漏極植入之前，需要進行側(cè)墻隔離氧化層的淀積。淀積的厚度為。 depo oxide thick= divisions=8 9 側(cè)墻氧化隔離的形成 為了形成氧化隔離，必須進行干刻蝕?？涛g厚度為 。 語句 如下： etch oxide dry thick= 10 源 /漏極注入和退火 現(xiàn)在，我們來通過注入砷進行源漏的注入，這會形成晶體管的 n+源漏。 源漏注入砷注入的劑量使用： 3x1015cm3，注入能量為： 50KeV. implant arsenic dose= energy=50 pearson 源漏注入后接下來將是快速退火工藝，條件是： 氮氣氣氛， 1分鐘， 900度， 1個大氣壓 method fermi press diffuse time=1 temp=900 nitro press= 11 金屬化 在形成源漏區(qū)域以后，下個工藝步驟是金屬化這個區(qū)域金屬化。金屬化工藝步驟是首先在源漏區(qū)域形成接觸孔窗口。 為了在源漏區(qū)域形成接觸孔窗口，將氧化層在 x= m的位置刻蝕到左邊 etch oxide left = 12獲取器件參數(shù) 在這一部分，我們將提取這半個 NMOS 結(jié)構(gòu)的一些器件參數(shù) ,這些參數(shù)包括： ++源漏方塊電阻 LDD 區(qū)的方塊電阻 計算結(jié)深的語句如下： extract name=nxj xj silicon =1 = =1 獲取 N++源 /漏極薄層電阻 extract name=n++ sheet rho material=Silicon =1 = =1 測量溝道閾值電壓 extract name=n1dvt 1dvt ntype vb= qss=1e10 = 在這條 extract 語句 中， 1dvt 指測量一維閾值電壓； ntype 指器件類型；= 為器件溝道內(nèi)一點； qss=1e10 指濃度為 1e10cm3 的表面態(tài)電荷； vb= 柵極偏置 0V。 溝道表面摻雜濃度 extract name=chan surf conc impurity=Net Doping \ m
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