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eda課程設(shè)計報告n溝道m(xù)os管工藝模擬與器件模擬-全文預(yù)覽

2024-11-04 08:06 上一頁面

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【正文】 solve_tmp4 load infile=solve_tmp1 log outf= solve name=drain vdrain=0 vfinal= vstep= load infile=solve_tmp2 log outf= solve name=drain vdrain=0 vfinal= vstep= load infile=solve_tmp3 log outf= solve name=drain vdrain=0 vfinal= vstep= load infile=solve_tmp4 log outf= solve name=drain vdrain=0 vfinal= vstep= extract max current and saturation slope extract name=nidsmax max(i.drain) extract name=sat_slope slope(minslope(curve(v.drain,i.drain))) tonyplot overlay st nmos*.log quit 輸出特性曲線部分 go atlas mesh infile= set material models models cvt srh print contact name=gate interface qf=3e10 get initial solution solve init method newton trap solve prev Bias the drain a bit... solve vdrain= vstep= vfinal= name=drain solve vdrain= Ramp the gate to a volt... log outf= master solve vgate=0 vstep= vfinal= name=gate extract device parameters extract name=nvt(xintercept(maxslope(curve(abs(v.gate),abs(i.drain)))) abs(ave(v.drain))/) extract name=nbeta slope(maxslope(curve(abs(v.gate),abs(i.drain))))* ((ave(v.drain))) extract the device parameter SubVt... extract init inf= extract name=nsubvt (maxslope(curve(abs(v.gate),log10(abs(i.drain))))) tonyplot 。如果要生成 Vgs=, Vgs= 時的 IdVds 曲線數(shù)據(jù),只要重復(fù)這三個語句即可。 extract name=nbeta slope(maxslope(curve(abs(v.gate),abs(i.drain))))\ * ((ave(v.drain))) 此語句提取 ? 值 。 簡單來說, Gummel 法將對每個未知量輪流求解,同時保持其他變量不變,不斷重復(fù)這個過程,直到能夠得到穩(wěn)定的解,而 Newton 法將會對整個系統(tǒng)的所有未知量一起求解。使用“ Contact”命令來設(shè)置 n型多晶硅柵的功函數(shù): contact name=gate (3) 設(shè)置界面特性 為了設(shè)置 NMOS 結(jié)構(gòu)的界面特性,需要使用“ Interface”命令,這個命令用于定義在半導(dǎo)體和絕緣體之間的界面上的界面電 荷密度和表面復(fù)合速率。點擊 Save 建立新的文件名 。金屬化工藝步驟是首先在源漏區(qū)域形成接觸孔窗口。 depo oxide thick= divisions=8 9 側(cè)墻氧化隔離的形成 為了形成氧化隔離,必須進(jìn)行干刻蝕。 fermi 模型通常用于沒有損傷的襯底,并且摻雜濃度小于 1x1020cm3。 6多晶氧化 接下來定義多晶硅的柵極,將多晶硅柵極網(wǎng)格邊緣定義為 x=,中心網(wǎng)格定義為 。 4. 淀積多晶硅柵 在 NMOS 工藝中,多晶硅的厚度約為 。 選擇 =2。 1描述輸出特性曲線并繪出。 進(jìn)行源漏 砷離子的注入,劑量為 4e15,能量為 40kev。 生長柵氧化層,嚴(yán)格控制各參數(shù)。 分析各關(guān)鍵工藝步驟對器件性能的影響。 天津工業(yè)大學(xué) 畢業(yè)實踐實習(xí)報告 N溝道 MOS管工藝模擬與器件模擬 班 級: 電科 1103 學(xué)
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