俄歇電子能譜aes-文庫吧資料
2025-01-04 15:44本頁面
【正文】 sθ 表示輸運(yùn)距離。 假設(shè) :在俄歇電子逸出深度范圍內(nèi) Ep和 Ip保持不變。 激發(fā)俄歇電子的總電流： I = (1+r) Ip Ip：入射束流 r：背向散射二次發(fā)射系數(shù) 背向散射電子的作用，將使俄歇信息強(qiáng)度增加百 分之幾，這一量值隨 U的增大而增大，隨原子序數(shù)增加而增加。 平均逸出深度 10197。 (3) 俄歇電子逸出深度 俄歇電子的逸出深度在小于或等于其在固體中的平均自由程時(shí)，才能得到有價(jià)值的俄歇信息。2] 可見： △ U必須 1 即 Ep EA △ 曲線有最大值，當(dāng) U ≈ 時(shí) (Ep為 EA的 ) △ 電離截面取決于束縛能 實(shí)驗(yàn)數(shù)值： 內(nèi)層束縛能： 1keV 入射電子能量： 35keV U: 34 (2) 俄歇躍遷幾率 PR： X射線輻射幾率 PA：俄歇電子躍遷幾率 PR ＋ PA ＝ 1 熒光幾率與俄歇幾率 (初態(tài)在 K層 ) 對于 Z≤ 15，采用 K系列熒光幾率很小 熒光產(chǎn)額與束縛能 △ 熒光幾率隨束縛能的增大而增大，而束縛能隨 殼層由內(nèi)向外逐漸減小－－ 依次采用 K、 L、 M系列熒光幾率可保持較小數(shù) △ 對于同一殼層上的束縛能隨原子序數(shù)增加而增加 －－對輕元素分析特別靈敏。 俄歇電子從固體表面的發(fā)射過程 ： △ 產(chǎn)生內(nèi)層電離的原子－電子碰撞電離截面 △ 俄歇躍遷過程－俄歇躍遷幾率 △ 俄歇電子從產(chǎn)生處輸運(yùn)到表面，從固體表面 逸出－逸出深度 (1) 電子碰撞電離截面 QA 入射電子與原子相互作用時(shí)，內(nèi)層能級(jí) A上產(chǎn)生空位的幾率。 Δ 俄歇電子的能量大多在 502023eV (不隨入射電子能量改變 ) Δ主峰 通過實(shí)驗(yàn)和計(jì)算得到 He以后所有元素的各組基本俄歇躍遷的特征能量。 修正： EABC = EA(Z) 1/2[EB(Z) + EB(Z+1)] 1/2[EC(Z) + EC(Z+1)] 相鄰原子序數(shù) 該能級(jí)的能量 特點(diǎn)： Δ一種原子可能產(chǎn)生幾組不同能級(jí)組合的俄歇躍遷，因而可以有若干不同特征能量的俄歇電子。 CK躍遷 (CosterKronig躍遷 )： 終態(tài)空位之一與初態(tài)空位處于同一主殼層內(nèi) 即 WiWpYq ( p i ) 超 CK躍遷 ： 兩終態(tài)都與初態(tài)空位處于同一主殼層內(nèi) 即 WiWpWq( p i， qi ) CK躍遷速度快 ， △ t小 ， 由測不準(zhǔn)原理 (△ E)(△ t) h，
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