俄歇電子能譜aes(更新版)
【正文】 工作原理 常用參數(shù) ： α 0 = 42176。 負(fù)峰所對(duì)應(yīng)的能量為閾值能；利用峰 峰高度確定信息強(qiáng)度 。 激發(fā)俄歇電子的總電流： I = (1+r) Ip Ip：入射束流 r：背向散射二次發(fā)射系數(shù) 背向散射電子的作用，將使俄歇信息強(qiáng)度增加百 分之幾，這一量值隨 U的增大而增大，隨原子序數(shù)增加而增加。 俄歇電子從固體表面的發(fā)射過(guò)程 ： △ 產(chǎn)生內(nèi)層電離的原子－電子碰撞電離截面 △ 俄歇躍遷過(guò)程－俄歇躍遷幾率 △ 俄歇電子從產(chǎn)生處輸運(yùn)到表面，從固體表面 逸出－逸出深度 (1) 電子碰撞電離截面 QA 入射電子與原子相互作用時(shí)，內(nèi)層能級(jí) A上產(chǎn)生空位的幾率。 Δ 終態(tài)為二重電離狀態(tài)。從 Auger電子可以得到 如下信息： 發(fā)射的 Auger電子能量 確定元素種類 Auger電子數(shù)量 元素含量 ＋電子束聚焦、偏轉(zhuǎn)和掃描 元素面分布 ＋離子束濺射刻蝕 元素深度分布 AES是一種重要的 材料成分分析技術(shù) 。 2. 俄歇電子能量 EABC = EA(Z) EB(Z) EC(Z) EA、 EB、 EC分別為 A、 B、 C能級(jí)上電子的結(jié)合能，是原子序數(shù)為 Z的元素的函數(shù)，是該種元素原子所特有的，因此 EABC也是該種元素特有的。 選取適合系列，退激發(fā)過(guò)程可認(rèn)為僅有俄歇過(guò)程 。 所考慮 i元素單位體積原子數(shù) ni在此區(qū)域內(nèi)為常數(shù)。 1．純?cè)貥?biāo)樣法 以純?cè)?i制作標(biāo)樣 假定標(biāo)樣與樣品的 Bi、 R、 ?、 TiWXY相同 ,則： 已知 測(cè)量得 求得 ni stdwxyiwxyistdiiIIn,?stdinwxyiI ,stdwxyiI , 2．相對(duì)靈敏度因子法 ? 在相同條件下，用純 i 元素與純 Ag 標(biāo)樣進(jìn)行比較 （取 Ag 351eV MNN 峰） stdAgstdwxyii IIS351,?1351, ?AgS stdAgistdwxyi ISI 351, ?－－ i元素標(biāo)樣 －－純 Ag標(biāo)樣 Si為 i 元素的相對(duì)靈敏度因子（可查表） stdAgiwxyistdii ISInn351,?已知相對(duì)靈敏度因子 只用一種標(biāo)樣 ? 求百分含量 , j wx yi wx ystd stdii i jjjijIInC n nSinS?? ??可無(wú)需 Ag標(biāo)樣，求出原子百分含量 若 則進(jìn)一步簡(jiǎn)化 ??j jwxyjiwxyiiSISIC ,利用主峰強(qiáng)度及相對(duì)靈敏度因子－－通常用的定量分析公式 stdjstdi nn ? 四、應(yīng)用例舉 1. 微區(qū)分析（電子束徑： 30nm） 2. 面元素分布分析（掃描俄歇象 SAM） 3. 深度剖面分析 五、 俄歇電子能譜儀 1. 入射電子束源 △ 束斑大小影響微區(qū)分析及掃描 AES的 橫向分辨 △ 束流大小影響信噪比 利用場(chǎng)發(fā)射陰極作為電子束源： 小束斑：幾千 幾百 197。 Eo:10002023eV。 cN II ? 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT
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