俄歇電子能譜aes-展示頁
2025-01-06 15:44本頁面
【正文】 Δ E大 ， 帶來能量的分散 ， 使譜線展寬 。 Δ 終態(tài)為二重電離狀態(tài)。電離原子去激發(fā)可采用如下兩種形式： Δ 輻射躍遷 : 一外層電子填充空位后，發(fā)射出特征 X射線 (例 L3上電子填充 K能級上空位，發(fā)出 X射線 Kα 1) Δ 無輻射過程 (即 Auger過程 )： 一外層電子填充空位，使 另一個電子脫離原子發(fā)射 出去 (例 L1上電子填充 K能級空位，同時 L3上的電子發(fā)射出去， 稱 KL1L3俄歇躍遷 )。其最大特點(diǎn)是： Δ 信息來自表面 （ 3 30197。俄歇電子能譜 三種最基本的表面分析方法 名稱 俄歇電子能譜 X射線光電子能譜 二次離子質(zhì)譜 AES XPS SIMS 一次束 電子 X射線 離子 檢測粒子 俄歇電子 光電子 二次離子 EABC＝ EAEBEC Ek＝ hν Eb m/e 特點(diǎn) 定量較好 帶有化學(xué)位移信息 檢測靈敏度高 分辨率高 表面損傷小 ppb 缺點(diǎn) 輕元素不能分析 分辨差 表面損傷 （ X射線不易聚焦） 定量困難 共同點(diǎn)：元素種類分析（成分分析、痕量分析）、表面分析 俄歇電子能譜 (Auger Electron Spectroscopy 簡稱 AES) 一 、 簡介 二 、 基本原理 三、定性及定量分析方法 四、俄歇譜儀介紹 五、主要應(yīng)用 一般儀器原理示意圖 一、 簡介 當(dāng)電子束照射到樣品表面時，將有帶著該樣品特征 的 Auger電子從樣品表面發(fā)射。從 Auger電子可以得到 如下信息： 發(fā)射的 Auger電子能量 確定元素種類 Auger電子數(shù)量 元素含量 ＋電子束聚焦、偏轉(zhuǎn)和掃描 元素面分布 ＋離子束濺射刻蝕 元素深度分布 AES是一種重要的 材料成分分析技術(shù) 。） Δ 具有微區(qū)分析能力（橫向與深度分辨率好） Δ 定量分析較好 二 、 基礎(chǔ)知識 1 . 俄歇效應(yīng) (1925年， 法國人 P. Auger) 用某種方法使原子內(nèi)層電子 (如 K層 )電離出去，內(nèi)層出現(xiàn)空位。 特點(diǎn) ： Δ 第二個電子在弛豫過程中釋放的能量，須大于或 至少等于第三個電子的束縛能。 Δ H和 He只有一個 K殼層，最多只有 2個電子，無法 產(chǎn) 生 Auger躍遷。 2. 俄歇電子能量 EABC = EA(Z) EB(Z) EC(Z) EA、 EB、 EC分別為 A、 B、 C能級上電子的結(jié)合能，是原子序數(shù)為 Z的元素的函數(shù)，是該種元素原子所特有的，因此 EABC也是該種元素特有的。 Δ可能出現(xiàn)的俄歇躍遷數(shù)隨原子序數(shù)增大 (殼層數(shù)增多 )而迅速增加。 3． 俄歇電流 俄歇電流的大小，即俄歇峰所包含的電子數(shù)，表示所含元素原子的多少。 設(shè) U = Ep / EA Ep: 入射電子能量 EA：內(nèi)層能級束縛能 通過理論計算及實(shí)驗測定，得到如
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