俄歇電子能譜aes-wenkub
2023-01-19 15:44:36 本頁面
【正文】 樣 品 表面，假設(shè)能量分析器只接收出射方向?yàn)榕c表面法線 夾角從 θ Δθ/2到 θ +Δθ/2(Δθ為一小量 )的俄歇 電子 (這樣的電子處于 Ω立體角內(nèi) ) 俄歇電子輻射方向各向同性，能量分析器所接收的 俄歇電子占各方向總數(shù)的 Ω/4π,近似等于能量分析器 的傳輸率 T。 N = N0ez/λ λ ：非彈性散射平均自由程－ 逸出深度 z：垂直于表面，指向外部 平均逸出深度與俄歇電子能量（對(duì)純?cè)嘏c元素種類關(guān)系不大） 在高能段 λ ∝ E 當(dāng)俄歇電子能量為 02023eV， 逸出深度為 3－ 30197。 設(shè) U = Ep / EA Ep: 入射電子能量 EA：內(nèi)層能級(jí)束縛能 通過理論計(jì)算及實(shí)驗(yàn)測(cè)定，得到如下公式： QA =α EA2(lnU/U) [197。 Δ可能出現(xiàn)的俄歇躍遷數(shù)隨原子序數(shù)增大 (殼層數(shù)增多 )而迅速增加。 Δ H和 He只有一個(gè) K殼層，最多只有 2個(gè)電子，無法 產(chǎn) 生 Auger躍遷。） Δ 具有微區(qū)分析能力（橫向與深度分辨率好） Δ 定量分析較好 二 、 基礎(chǔ)知識(shí) 1 . 俄歇效應(yīng) (1925年， 法國(guó)人 P. Auger) 用某種方法使原子內(nèi)層電子 (如 K層 )電離出去，內(nèi)層出現(xiàn)空位。俄歇電子能譜 三種最基本的表面分析方法 名稱 俄歇電子能譜 X射線光電子能譜 二次離子質(zhì)譜 AES XPS SIMS 一次束 電子 X射線 離子 檢測(cè)粒子 俄歇電子 光電子 二次離子 EABC＝ EAEBEC Ek＝ hν Eb m/e 特點(diǎn) 定量較好 帶有化學(xué)位移信息 檢測(cè)靈敏度高 分辨率高 表面損傷小 ppb 缺點(diǎn) 輕元素不能分析 分辨差 表面損傷 （ X射線不易聚焦） 定量困難 共同點(diǎn)：元素種類分析（成分分析、痕量分析）、表面分析 俄歇電子能譜 (Auger Electron Spectroscopy 簡(jiǎn)稱 AES) 一 、 簡(jiǎn)介 二 、 基本原理 三、定性及定量分析方法 四、俄歇譜儀介紹 五、主要應(yīng)用 一般儀器原理示意圖 一、 簡(jiǎn)介 當(dāng)電子束照射到樣品表面時(shí)，將有帶著該樣品特征 的 Auger電子從樣品表面發(fā)射。電離原子去激發(fā)可采用如下兩種形式： Δ 輻射躍遷 : 一外層電子填充空位后，發(fā)射出特征 X射線 (例 L3上電子填充 K能級(jí)上空位，發(fā)出 X射線 Kα 1) Δ 無輻射過程 (即 Auger過程 )： 一外層電子填充空位，使 另一個(gè)電子脫離原子發(fā)射 出去 (例 L1上電子填充 K能級(jí)空位，同時(shí) L3
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1