【正文】 QA =α EA2(lnU/U) [197。俄歇電子能譜 三種最基本的表面分析方法 名稱 俄歇電子能譜 X射線光電子能譜 二次離子質(zhì)譜 AES XPS SIMS 一次束 電子 X射線 離子 檢測(cè)粒子 俄歇電子 光電子 二次離子 EABC＝ EAEBEC Ek＝ hν Eb m/e 特點(diǎn) 定量較好 帶有化學(xué)位移信息 檢測(cè)靈敏度高 分辨率高 表面損傷小 ppb 缺點(diǎn) 輕元素不能分析 分辨差 表面損傷 （ X射線不易聚焦） 定量困難 共同點(diǎn)：元素種類分析（成分分析、痕量分析）、表面分析 俄歇電子能譜 (Auger Electron Spectroscopy 簡(jiǎn)稱 AES) 一 、 簡(jiǎn)介 二 、 基本原理 三、定性及定量分析方法 四、俄歇譜儀介紹 五、主要應(yīng)用 一般儀器原理示意圖 一、 簡(jiǎn)介 當(dāng)電子束照射到樣品表面時(shí)，將有帶著該樣品特征 的 Auger電子從樣品表面發(fā)射。2] 可見(jiàn)： △ U必須 1 即 Ep EA △ 曲線有最大值，當(dāng) U ≈ 時(shí) (Ep為 EA的 ) △ 電離截面取決于束縛能 實(shí)驗(yàn)數(shù)值： 內(nèi)層束縛能： 1keV 入射電子能量： 35keV U: 34 (2) 俄歇躍遷幾率 PR： X射線輻射幾率 PA：俄歇電子躍遷幾率 PR ＋ PA ＝ 1 熒光幾率與俄歇幾率 (初態(tài)在 K層 ) 對(duì)于 Z≤ 15，采用 K系列熒光幾率很小 熒光產(chǎn)額與束縛能 △ 熒光幾率隨束縛能的增大而增大，而束縛能隨 殼層由內(nèi)向外逐漸減小－－ 依次采用 K、 L、 M系列熒光幾率可保持較小數(shù) △ 對(duì)于同一殼層上的束縛能隨原子序數(shù)增加而增加 －－對(duì)輕元素分析特別靈敏。 in前提： 在相同的測(cè)試環(huán)境與條件下： ☆ Ep ：一次電子束能量 Ip ：一次電子束束流 ☆ Ep ：倍增器高壓 Em ：調(diào)制能量峰峰值 L ：鎖相放大器放大倍數(shù) 其中 Ep和 Ep與 II,wxy不成正比 Ip、 Em 和 L與 II,wxy成正比 (IpEmL)稱為刻度系數(shù)，測(cè)試時(shí)若不同可最后換算。 具有筒鏡能量分析器