俄歇電子能譜aes-全文預(yù)覽
【正文】 收集電子能量 E0 e|Vr| 收集電流 Ic = N(E)dE 高通分析器 :只有能量高于阻擋勢(shì)的粒子才可能被接收 為得到 N(E)：取一次微分 dN(E)/dE: 取兩次微分 缺點(diǎn)：分辨率不高，檢測(cè)靈敏度低 ??0E (偏轉(zhuǎn)色散型 ) 利用不同能量的粒子在靜電場(chǎng)中偏轉(zhuǎn)軌道半徑同 (色散現(xiàn)象 ) △ 要求： 不同能量的電子通過分析器后最大限度地被分離， 以便選出某種能量的電子 (色散特性－獲得高分辨率 ) 具有相同能量、不同發(fā)射角的電子要盡可能會(huì)聚于一點(diǎn)(聚焦特性－獲得高靈敏度 )。 得： 一次諧波振幅 ∝ dN(E)/dE 信號(hào) → 電子倍增 → 鎖相放大 (只放大頻率為 ω的信號(hào) ) → dN(E)/dE→ 外圓筒電位掃描 → dN(E)/dE－ E曲線 ??????? 220 21)()(dENdEdEdNENEEN ???? tkdENdtkdEdNEN ?? 22220 sin21sin)(… … ！ ！ 〇 能量分辨率 ： 絕對(duì)分辨率 : 譜峰的半寬度 Δ E (FWHM) 相對(duì)分辨率 : R=(Δ E/Eo) 100% （ Eo:通過分析器后電子的能量峰值） 分辨本領(lǐng)： Eo/Δ E 通常： Δ E： 510eV。 10176。 具有筒鏡能量分析器的 AES，其檢測(cè)靈敏度為%量級(jí)。 信噪比 ： S/N 筒鏡分析器的收集電流為一極窄能量間隔內(nèi)的電流，取得同樣大小信號(hào)， CMA的收集極電流僅為四柵拒斥場(chǎng)分析器的 10－ 4。 R % 空間分辨率 ：由電子槍束斑 厚度分辨率 ： 5－ 30197。 △ 結(jié)構(gòu)及工作原理 常用參數(shù) ： α 0 = 42176。 高亮度 不用磁聚焦系統(tǒng)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單 通常工作條件： 入射電子能量： 15 keV 一次束流 Ip ： 108 A 入射角范圍： 20176。 負(fù)峰所對(duì)應(yīng)的能量為閾值能；利用峰 峰高度確定信息強(qiáng)度 。 物理意義 ：積分號(hào)內(nèi) (Ip ni QW PWXY T dz)是距表面 z處， dz深度范圍內(nèi)，處于能量分析器接收角度范圍內(nèi)的俄歇 電子，再乘以 ez/λ cosθ 就是能量無損地輸運(yùn)到表面的部 分， z/cosθ 表示輸運(yùn)距離。 激發(fā)俄歇電子的總電流： I = (1+r) Ip Ip：入射束流 r：背向散射二次發(fā)射系數(shù) 背向散射電子的作用，將使俄歇信息強(qiáng)度增加百 分之幾，這一量值隨 U的增大而增大，隨原子序數(shù)增加而增加。 (3) 俄歇電子逸出深度 俄歇電子的逸出深度在小于或等于其在固體中的平均自由程時(shí)，才能得到有價(jià)值的俄歇信息。 俄歇電子從固體表面的發(fā)射過程 ： △ 產(chǎn)生內(nèi)層電離的原子－電子碰撞電離截面 △ 俄歇躍遷過程－俄歇躍遷幾率 △ 俄歇電子從產(chǎn)生處輸運(yùn)到表面，從固體表面 逸出－逸出深度 (1) 電子碰撞電離截面 QA 入射電子與原子相互作用時(shí)，內(nèi)層能級(jí) A上產(chǎn)生空位的幾率。 修正： EABC = EA(Z) 1/2[EB(Z) + EB(Z+1)] 1/2[EC(Z) + EC(Z+1)] 相鄰原子序數(shù) 該能級(jí)的能量
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