俄歇電子能譜法yuanl-文庫(kù)吧資料
2025-05-20 04:18本頁(yè)面
【正文】 原子化學(xué)環(huán)境變化，不僅可能引起俄歇峰的位移（稱化學(xué)位移），也可能引起其強(qiáng)度的變化，這兩種變化的交疊，則將引起俄歇譜（圖）形狀的變化。對(duì)同一 k層空穴，退激發(fā)過(guò)程中熒光 x射線與俄歇電子的相對(duì)發(fā)射機(jī)率，即熒光產(chǎn)額（ ωk） 和俄歇電子產(chǎn)額（ αk） 滿足： αk=1–ωk ? 4俄歇電子產(chǎn)額 俄歇電子產(chǎn)額或俄歇躍遷幾率決定俄歇譜峰強(qiáng)度，直接關(guān)系到元素的定量分析。俄歇電子的標(biāo)識(shí)與俄歇電子的能量 圖 2－ 10所示之俄歇電子標(biāo)識(shí)為 kl2l3俄歇電子，kl2l3順序表示俄歇過(guò)程初態(tài)空位所在能級(jí)、向空位作無(wú)輻射躍遷電子原在能級(jí)及所發(fā)射電子原在能級(jí)的能級(jí)符號(hào)。
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