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正文內(nèi)容

俄歇電子能譜法yuanl-文庫吧資料

2025-05-20 04:18本頁面
  

【正文】 原子化學環(huán)境變化,不僅可能引起俄歇峰的位移(稱化學位移),也可能引起其強度的變化,這兩種變化的交疊,則將引起俄歇譜(圖)形狀的變化。對同一 k層空穴,退激發(fā)過程中熒光 x射線與俄歇電子的相對發(fā)射機率,即熒光產(chǎn)額( ωk) 和俄歇電子產(chǎn)額( αk) 滿足: αk=1–ωk ? 4俄歇電子產(chǎn)額 俄歇電子產(chǎn)額或俄歇躍遷幾率決定俄歇譜峰強度,直接關(guān)系到元素的定量分析。俄歇電子的標識與俄歇電子的能量 圖 2- 10所示之俄歇電子標識為 kl2l3俄歇電子,kl2l3順序表示俄歇過程初態(tài)空位所在能級、向空位作無輻射躍遷電子原在能級及所發(fā)射電子原在能級的能級符號。
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