第6章存儲(chǔ)系統(tǒng)-文庫(kù)吧資料
2025-07-26 12:21本頁(yè)面
【正文】 從奇數(shù)地址開(kāi)始的 16位的數(shù)據(jù) ? 讀寫(xiě)從偶數(shù)地址開(kāi)始的 8位的數(shù)據(jù) ? 讀寫(xiě)從奇地址開(kāi)始的 8位的數(shù)據(jù) ? 8086讀寫(xiě) 16位數(shù)據(jù)的特點(diǎn)： ? 讀 16位數(shù)據(jù)時(shí)會(huì)讀兩次，每次 8位。 51 字?jǐn)U展例 ? 用 64K 8的 SRAM芯片構(gòu)成 128KB的存儲(chǔ)器 52 字位擴(kuò)展 ? 根據(jù)內(nèi)存容量及芯片容量確定所需存儲(chǔ)芯片數(shù)； ? 進(jìn)行位擴(kuò)展以滿(mǎn)足字長(zhǎng)要求； ? 進(jìn)行字?jǐn)U展以滿(mǎn)足容量要求。芯片每個(gè)單元中的字長(zhǎng)滿(mǎn)足，但單元數(shù)不滿(mǎn)足。 ? 位擴(kuò)展特點(diǎn)： 存儲(chǔ)器的單元數(shù)不變，位數(shù)增加。 48 位擴(kuò)展例 ? 用 8片 2164A（ 64K 1位 DRAM）芯片構(gòu)成 64KB存儲(chǔ)器。 存儲(chǔ)器擴(kuò)展技術(shù) ? 用多片 存儲(chǔ)芯片構(gòu)成所需的內(nèi)存容量，每個(gè)芯片在內(nèi)存中占據(jù)不同的地址范圍，任一時(shí)刻僅有一片（或一組）被選中。 42 三、閃速存儲(chǔ)器 （ Flash） 特點(diǎn)： ? 無(wú)需后備電源； ? 可實(shí)現(xiàn)在線編程； ? 編程寫(xiě)入及擦除速度快。 ? 方法 2： ? 每寫(xiě)一個(gè)字節(jié)后，等待一段時(shí)間 (≥10ms)再寫(xiě)下一個(gè)字節(jié)。 38 工作方式 ? 數(shù)據(jù)讀出 ? 編程寫(xiě)入 ? 擦除 字節(jié)寫(xiě)入： 每次寫(xiě)入一個(gè)字節(jié) 自動(dòng)頁(yè)寫(xiě)入：每次寫(xiě)入一頁(yè)（ 32字節(jié)） 字節(jié)擦除：一次擦除一個(gè)字節(jié) 片擦除：一次擦除整片 39 典型 EEPROM芯片 98C64A： ? 容量 8K 8； ? 13根地址線（ A0 － A12）； ? 8位數(shù)據(jù)線（ D0 － D7）； ? 輸出允許信號(hào)（ OE）； ? 寫(xiě)允許信號(hào)（ WE）； ? 選片信號(hào)（ CE）； ? 狀態(tài)輸出端（ READY/BUSY）。 只讀存儲(chǔ)器 （ ROM） 特點(diǎn)： ? 可隨機(jī)讀取數(shù)據(jù)，但不能隨機(jī)寫(xiě)入； ? 掉電后信息不丟失 34 一、 EPROM 特點(diǎn)： ? 可多次編程寫(xiě)入； ? 掉電后內(nèi)容不丟失； ? 內(nèi)容的擦除需用紫外線擦除器。 ? ? A0A7：地址線 ? DIN： 數(shù)據(jù)輸入 ? DOUT： 數(shù)據(jù)輸出 WE=0 數(shù)據(jù)寫(xiě)入 WE=1 數(shù)據(jù)讀出 WE：寫(xiě)允許信號(hào) 31 工作時(shí)序 ? 數(shù)據(jù)讀出 ? 數(shù)據(jù)寫(xiě)入 ? 刷新，一次一行 32 2164A在系統(tǒng)中的連接 ? 利用 8片 2164A構(gòu)成 64KB存儲(chǔ)體； ? 通過(guò)選擇控制芯片將存儲(chǔ)體與系統(tǒng)相連。用于鎖存行地址； ? CAS：列地址選通信號(hào)。 ? 共用一組地址信號(hào)線 ? 地址信號(hào)線的數(shù)量?jī)H 為同等容量 SRAM芯 片的一半。 A18 A14 A13 A17 A16 A15 +5V Y0 ? ? ? 系統(tǒng)總線 74LS138 6264 27 二、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 DRAM 特點(diǎn)： ? 存儲(chǔ)元主要由電容構(gòu)成，由于電容存在的漏電現(xiàn)象而使其存儲(chǔ)的信息不穩(wěn)定，故 DRAM芯片需要定時(shí)刷新。 26 應(yīng)用舉例 D0~D7 A0 A12 ? ? ? WE OE CS1 CS2 ? ? ? A0 A12 MEMW MEMR D0~D7 A19 G1 G2A G2B C B A amp。 ?1 6264 CS1 25 應(yīng)用舉例 ? 將 SRAM 6
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