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第6章存儲(chǔ)系統(tǒng)-wenkub.com

2025-07-17 12:21 本頁(yè)面
   

【正文】 CPU Cache 主 存 67 回寫(xiě)式 ( 寫(xiě)更新 ) ? 數(shù)據(jù)一般只寫(xiě)到 Cache,當(dāng) Cache中的數(shù)據(jù)被再次更新時(shí),將原更新的數(shù)據(jù)寫(xiě)入主存相應(yīng)單元,并接受新的數(shù)據(jù)。 若 命中,則切斷CPU對(duì)主存的請(qǐng)求,并將數(shù)據(jù)送出;如果不命中,則將數(shù)據(jù)請(qǐng)求傳給主存 。 ? 電路簡(jiǎn)單,節(jié)省器件。 ? 讀高字節(jié)時(shí) BHE=0, A0=1; ? 讀低字節(jié)時(shí) BHE=1, A0=0 ? 每次只使用數(shù)據(jù)線的一半: D15D8 或 D7D0 ? 寫(xiě) 16位數(shù)據(jù)時(shí)一次寫(xiě)入。 ? 擴(kuò)展原則: 每個(gè)芯片的地址線、數(shù)據(jù)線、控制線并聯(lián),僅片選端分別引出,以實(shí)現(xiàn)每個(gè)芯片占據(jù)不同的地址范圍。 A0 ~ A15 2164A 2164A 2164A D0 ~D7 D0 D1 D7 A0~A7 … WE RAS CAS 行 /列地址多路轉(zhuǎn)換器 地址選擇 A0~A7 A0~A7 49 位擴(kuò)展原則 ? 將每片的地址線、控制線并聯(lián),數(shù)據(jù)線分別引出。 43 典型 Flash芯片 28F040: ? 容量: 512K 8b ? 控制方式: ? 利用內(nèi)部狀態(tài)寄存器控制芯片的工作 44 Flash的工作方式 數(shù)據(jù)讀出 編程寫(xiě)入: 擦 除 讀單元內(nèi)容 讀內(nèi)部狀態(tài)寄存器內(nèi)容 讀芯片的廠家及器件標(biāo)記 數(shù)據(jù)寫(xiě)入,寫(xiě)軟件保護(hù) 字節(jié)擦除,塊擦除,片擦除 擦除掛起 45 167。 40 98C64A的寫(xiě)入方法 ? 方法 1: ? 每寫(xiě)入一個(gè)字節(jié)都判斷 READY/BUSY端的狀態(tài),僅當(dāng)該端為高電平時(shí)才可寫(xiě)入下一個(gè)字節(jié)。 簡(jiǎn)化的電路原理圖 33 167。 0 1 0 0 0 1 0 0 COL ROW 存儲(chǔ)矩陣 29 2164A的內(nèi)部結(jié)構(gòu) A0~ A7 存儲(chǔ)矩陣 256 256 行地址 鎖存 及譯碼 列地址鎖存 及譯碼 ... . . . 列放大器 ... Dout Din 控制 電路 RAS CAS WE 30 主要引線 ? RAS:行地址選通信號(hào)。 amp。 6264的地址范圍=? A19 A17 A16 A15 A14 A13 amp。 ?1 6264 CS1 全部高位地址信號(hào)( A19A13)都作為譯碼器輸入。 14 典型 SRAM芯片 了解: ? 主要引腳功能 ? 工作時(shí)序 ? 與系統(tǒng)的連接使用 15 SRAM 6264芯片 ? 容量: 8K 8 ? 芯片外部引線圖 16 6264芯片的主要引線 ? 地址線: A0~ A12; ? 數(shù)據(jù)線: D0~ D7; ? 輸出允許信號(hào): OE; ? 寫(xiě)允許信號(hào): WE; ? 選片信號(hào): CS1, CS2 17 6264的工作過(guò)程 ? 讀操作 ? 寫(xiě)操作 工作時(shí)序 18 6264芯片與系統(tǒng)的連接 D0~D7 A0 A12 ? ? ? WE OE CS1 CS2 ? ? ? A0 A12 MEMW MEMR 譯碼 電路 高位地址信號(hào) D0~D7 系統(tǒng)總線 ~ 6264 ? ? ?
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