第6章存儲(chǔ)系統(tǒng)(已修改)
2025-08-01 12:21 本頁面
【正文】 1 第 6章 存儲(chǔ)系統(tǒng) 計(jì)算機(jī)教學(xué)實(shí)驗(yàn)中心 2 主要內(nèi)容 ? 微型機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的概念和體系結(jié)構(gòu) ? 存儲(chǔ)器的分類及其特點(diǎn) ? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的外部特性及其與系統(tǒng)的連接 ? 存儲(chǔ)器管理技術(shù) ? 高速緩存的一般概念 3 167。 概述 ? 存儲(chǔ)系統(tǒng) ? 存儲(chǔ)器的分類及主要技術(shù)指標(biāo) 4 微型機(jī)的存儲(chǔ)系統(tǒng) ? 將兩個(gè)或兩個(gè)以上速度、容量和價(jià)格各不相同的存儲(chǔ)器用硬件、軟件或軟硬件相結(jié)合的方法連接起來就構(gòu)成存儲(chǔ)系統(tǒng)。 ? 系統(tǒng)的存儲(chǔ)速度接近較快的存儲(chǔ)器，容量接近較大的存儲(chǔ)器。 5 微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng) Cache存儲(chǔ)系統(tǒng) 主存儲(chǔ)器 高速緩沖存儲(chǔ)器 虛擬存儲(chǔ)系統(tǒng) 主存儲(chǔ)器 磁盤存儲(chǔ)器 6 存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu) 由上至下容量越來越大，速度越來越慢，價(jià)格越來越低 通用寄存器堆及 指令、數(shù)據(jù)緩沖棧 高速緩存 主存儲(chǔ)器 聯(lián)機(jī)外存儲(chǔ)器 脫機(jī)外存儲(chǔ)器 7 存儲(chǔ)系統(tǒng)的主要技術(shù)指標(biāo) ? 存儲(chǔ)容量（ S） ? 單位容量的平均價(jià)格（ C） C =（ C1 S1+C2 S2） /（ S1+S2） ? 存取周期 T=H T1+（ 1H） T2 ? 訪問效率 E=T1/T 命中率 8 存儲(chǔ)器的分類 ? 高速緩沖存儲(chǔ)器 ? 主存儲(chǔ)器 ? 輔助存儲(chǔ)器 內(nèi)存儲(chǔ)器 —— 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 9 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 ? 由能夠表示“ 0”和“ 1”、具有記憶功能的一些物理器件組成。 ? 能存放一位二進(jìn)制數(shù)的物理器件稱為一個(gè)存儲(chǔ)元。 ? 若干存儲(chǔ)元構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)單元。 10 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ RAM） 只讀存儲(chǔ)器（ ROM） FLASH存儲(chǔ)器（閃存） 靜態(tài) RAM 動(dòng)態(tài) RAM 掩模 ROM 一次編程型 ROM（ PROM） 可讀寫 ROM EPROM EEROM 11 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo) ? 存儲(chǔ)容量 ? 存取時(shí)間和存取周期 ? 存儲(chǔ)器帶寬 —— 單位時(shí)間內(nèi)存儲(chǔ)器可讀寫的字節(jié)數(shù) ? 平均故障間隔時(shí)間（ MTBF） —— 可靠性 ? 功耗 CPU讀寫存儲(chǔ)器的時(shí)間必須大于存儲(chǔ)芯片的額定存取時(shí)間 12 167。 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 主要內(nèi)容： ? SRAM與 DRAM的主要特點(diǎn) ? 幾種常用存儲(chǔ)器芯片及其與系統(tǒng)的連接 13 一、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM 特點(diǎn)： ? 存儲(chǔ)元由雙穩(wěn)電路構(gòu)成，存儲(chǔ)信息穩(wěn)定。 14 典型 SRAM芯片 了解： ? 主要引腳功能 ? 工作時(shí)序 ? 與系統(tǒng)的連接使用 15 SRAM 6264芯片 ? 容量： 8K 8 ? 芯片外部引線圖 16 6264芯片的主要引線 ? 地址線： A0～ A12； ? 數(shù)據(jù)線： D0～ D7； ? 輸出允許信號： OE； ? 寫允許信號： WE； ? 選片信號： CS1， CS2 17 6264的工作過程 ? 讀操作 ? 寫操作 工作時(shí)序 18 6264芯片與系統(tǒng)的連接 D0~D7 A0 A12 ? ? ? WE OE CS1 CS2 ? ? ? A0 A12 MEMW
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