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第四章、存儲系統(tǒng)-文庫吧資料

2025-08-07 13:40本頁面
  

【正文】 CPU的連接 D0,D1 WE A CS 2K 2 D0D1 A100 MREQ R/W CPU D1~D0 計算機(jī)組成原理 Slide 67 存儲器擴(kuò)展 ?字長擴(kuò)展 (數(shù)據(jù)總線擴(kuò)展 ) ? 各芯片并行工作 ?字?jǐn)?shù)擴(kuò)展 (地址總線擴(kuò)展 ) ? 同一時刻僅一芯片工作 計算機(jī)組成原理 Slide 68 字長 (位 )擴(kuò)展( DBUS) 2Kx2 2Kx8 A100 D1 D0 D7D6 A100 MREQ R/W CPU D7~D0 一個存儲系統(tǒng)容量為 N位,若使用 k位的芯片, kN,共需要 (N/k)個芯片 WE A CS 2K 2 D WE A CS 2K 2 D WE A CS 2K 2 D WE A CS 2K 2 D D5 D4 D3 D2 計算機(jī)組成原理 Slide 69 字?jǐn)?shù) (字 )擴(kuò)展 (ABUS) 8Kx832Kx8 A1413 A120 24譯碼 ramsel4 ramsel2 ramsel1 ramsel0 OE D7~D0 D7~D0 D7~D0 D7~D0 一個存儲系統(tǒng)容量為 M,若使用容量 l的芯片, lM,共需要( M/l)個芯片 WE A CS 8K 8 D WE A CS 8K 8 D WE A CS 8K 8 D WE A CS 8K 8 D A120 MREQ R/W CPU D7~D0 計算機(jī)組成原理 Slide 70 綜合擴(kuò)展 8Kx8 32Kx32 11 24譯碼 10 01 00 A1413 A120 A120 OE MREQ R/W CPU D31~D0 D31~D0 D31~D0 D31~D0 D31~D0 WE A CS 8Kx8 4片 D WE A CS 8Kx8 4片 D WE A CS 8Kx8 4片 D WE A CS 8Kx8 4片 D 一個存儲系統(tǒng)容量為 M*N位,若使用 l*k位的芯片, lM,kN,共需要( M/l) *(N/k)個芯片 計算機(jī)組成原理 Slide 71 芯片表示的主存空間 8位 1 2 3 4 2048個 存儲單元 D7 D6 … D1 D0 8位 8K 8K 8K 8K 1 2 3 4 D7D6… D1D0 地址 0 1 2 … 32767 Address Address 計算機(jī)組成原理 Slide 72 各芯片地址范圍 8位 8K 8K 8K 8K 1 2 3 4 D7D6… D1D0 A14A13A12 A0 0 0 0 0 . . . 0 0 0 1 1 . . . 1 0 1 0 0 . . . 0 0 1 1 1 . . . 1 1 0 0 0 . . . 0 1 0 1 1 . . . 1 1 1 0 0 . . . 0 1 1 1 1 . . . 1 例 1 設(shè)有 32片 256K 1位的 SRAM芯片 (1) 采用位擴(kuò)展方法可構(gòu)成多大容量的存儲器? (2) 該存儲器需要多少字節(jié)地址位? (3) 畫出該存儲器與 CPU連接的結(jié)構(gòu)圖,設(shè) CPU的接 口信號有地址信號、數(shù)據(jù)信號、控制信號 MREQ和 R/W。 計算機(jī)組成原理 Slide 63 閃速存儲器 Flash Memory ? 在不加電的情況下可長期保持存儲的信息。 ? 刷新地址是由專門器件 刷新地址計數(shù)器給出。 2ms 128行 ≈ 微秒 500ns 計算機(jī)組成原理 Slide 46 刷新的幾點說明 ? 不同材料、生產(chǎn)工藝的動態(tài)存儲器刷新周期不同,常見的有 2ms 、 4ms、 8ms,刷新時間間隔不能超過刷新周期。 用在低速系統(tǒng)中 計算機(jī)組成原理 Slide 45 異步刷新方式 RW 刷新 1 … RW RW 500ns RW 128 … RW … 各刷新周期分散安排在 2ms內(nèi) 每隔一段時間刷新一行。 用在實時要求不高的場合。電容電荷容易泄漏,需定期補(bǔ)充電荷以保持信息不變,補(bǔ)充電荷的過程稱為 刷新 過程 ? 泄漏完畢之前如不能補(bǔ)充電荷,存儲信息發(fā)生丟失,信息存儲到信息泄漏完畢之間必須完成刷新過程,稱為 最大刷新周期 , ? 從上一次對存儲器刷新結(jié)束到下一次對整個存儲器刷新結(jié)束所需要的時間稱為 刷新周期 ,刷新一塊芯片所需的刷新周期數(shù)由芯片矩陣的行數(shù)決定。 amp。第四章、存儲系統(tǒng) 版權(quán)所有,引用請注明出處 原著 譚志虎 主講 (改編 ) 蔣文斌 計算機(jī)組成原理 Slide 2 Outline ?存儲器概述 ?主存儲器 ?高速緩沖存儲器 ?外存儲器 ?虛擬存儲器 ?存儲保護(hù) 計算機(jī)組成原理 Slide 3 存儲器概述 ?存儲器分類 ?存儲器分級結(jié)構(gòu) ?存儲器的性能指標(biāo) 計算機(jī)組成原理 Slide 4 存儲器分類 ?按存儲介質(zhì)分 ?按存取方式分 ?按存儲器的讀寫功能分 ?按信息的可保存性分 ?按在計算機(jī)系統(tǒng)中的作用分 計算機(jī)組成原理 Slide 5 按存儲介質(zhì)分 ?半導(dǎo)體存儲器 ? 雙極型存儲器 MOS存儲器 ? 速度快、功耗低 ?磁存儲器 ? 磁芯、磁帶、磁盤 ? 容量大,速度慢、體積大 ?激光存儲器 ? CDROM CDRW CDR ? DVDROM DVDRW DVDR ? 便于攜帶,廉價,易于保存 計算機(jī)組成原理 Slide 6 按存取方式分 ?隨機(jī)存儲器 ? 存儲器中的任意存儲單元都能隨機(jī)存取 ? 且存取時間與物理位置無關(guān) ? 磁芯、半導(dǎo)體存儲器 ?順序存儲器 ? 存儲器存取時間與物理位置有關(guān) ? 磁盤、磁帶、激光存儲器 計算機(jī)組成原理 Slide 7 按讀 /寫功能分 ?只讀存儲器 (ROM) ? 存儲器內(nèi)容是預(yù)置的,固定的,無法改寫 ?讀 /寫存儲器 ? 既能讀出也能寫入的存儲器 ? 隨機(jī)存儲器 RAM 計算機(jī)組成原理 Slide 8 按信息的可保存性分 ?易失性存儲器 Volatile Memories ? 斷電后信息消失 ? SRAM ? DRAM ?非易失性存儲器 NonVolatile Memories ? 斷電后仍能保存信息 ? 磁存儲器、激光存儲器、 NVRAM 計算機(jī)組成原理 Slide 9 按在計算機(jī)系統(tǒng)中的作用分 ?主存儲器 ?輔助存儲器 ?高速緩沖存儲器 Cache ?控制存儲器 計算機(jī)組成原理 Slide 10 存儲系統(tǒng)分層結(jié)構(gòu) 磁帶、光盤 磁盤 Cache(SRAM) 主存 (DRAM) CPU寄存器 存儲速度 單位成本 存儲容量 外存 /輔存 內(nèi)存 計算機(jī)組成原理 Slide 11 Outline ?存儲器概述 ?主存儲器 ?高速緩沖存儲器 ?外存儲器 ?虛擬存儲器 ?存儲保護(hù) 計算機(jī)組成原理 Slide 12 主存儲器 ?基本概念 ?隨機(jī)存儲器 ?只讀存儲器 ?主存儲器與
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