反相器電路版圖及特性-文庫(kù)吧資料
2025-05-05 05:07本頁(yè)面
【正文】 MASK 交給工廠生產(chǎn) 版圖設(shè)計(jì)工程師完成 掩模工廠完成 芯片前道工廠完成 版 圖 處 理 流 程 兩種典型的倒相器版圖 (Two Typical Inverter Layout Styles) 閂鎖效應(yīng) (Latchup) ?此尖峰可以導(dǎo)致閂鎖效應(yīng) (latchup). ?通過 C2 電容的下降沿尖峰使得晶體管 Q2導(dǎo)通 . ?電流流經(jīng)晶體管 Q2 導(dǎo)致 RW1 和 RW2 上的電壓下降 ,并使得 Q1管導(dǎo)通 . ?流經(jīng) 晶體管 Q1 的電流在電阻 RS1 和 RS2 上產(chǎn)生壓降 ,使得 Q2進(jìn)一步導(dǎo)通 . ? 通過 C1的上升沿尖峰具有和前面同樣的效果 . 閂鎖效應(yīng)的解決方法 (Solutions to Latchup) 放慢上升 /下降時(shí)間來(lái)減少尖峰的幅度 . 縮小漏極區(qū)域的大小來(lái)減少電容 C1 和 C2值 . 把襯底和阱接觸靠近晶體管的漏極來(lái)減小電阻 RW1 和 RS2 的值 . 將 n+ 和 p+ 區(qū)域圍繞關(guān)鍵電路 . 這些措施 (叫做 保護(hù)環(huán) ) 是很有效 ,但是很占空間限制了多晶硅作為互連層的作用 . 需要大電流驅(qū)動(dòng)的情況下，盡量使用無(wú)需 PMOS的電路結(jié)構(gòu)。 (2) 在反轉(zhuǎn)點(diǎn)流過 NMOS和 PMOS的電流相等。（ 負(fù)載也為一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)倒相器）。n= 223。n= 223。n= 223。三、反相器電路、版圖及特性 反相器的電路、工作原理 反相器的時(shí)序特性 反相器的版圖設(shè)計(jì)和設(shè)計(jì)規(guī)則 版圖設(shè)計(jì)中的 閂鎖效應(yīng) 如何驅(qū)動(dòng)大的負(fù)載 反相器晶體管電路圖、工作原理 Vin M1 M2 OUT 0 off on 1 1 on off 0 真
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