反相器電路版圖及特性(參考版)
2025-05-02 05:07本頁(yè)面
【正文】 cl kDDLo a dDDLo a da vgDDa vg fVCTVCIVP ??????? 22反相器的版圖 單個(gè)晶體管版圖 1253TransistorW(器件溝道寬度 ) L(溝道長(zhǎng)度 ) ?CMOS Process Layers(CMOS 工藝層次 ) Layer Polysilicon Metal1 Metal2 Contact To Poly Contact To Diffusion Via Well (p,n) Active Area (n+,p+) Color Representation Yellow Green Red Blue Magenta Black Black Black Select (p+,n+) Green ?IntraLayer Design Rules(設(shè)計(jì)規(guī)則 ) 規(guī)定各層次的最小寬度和最小間距 ,相關(guān)層次之間的最小間距 . Metal2 4 3 1090 W ellActive33Poly silicon22Differen t Pote ntialSame Poten tialMetal1332Cont actor V iaSelect2or62HoleNWELL(N阱 ) Poly(多晶硅 ) P+(P擴(kuò)散 ) N+(N擴(kuò)散 ) Contact(接觸孔 ) Metal(金屬 ) 反相器版圖 CMOS層次 MASK1 MASK2 MASK3 MASK4 MASK5 MASK6 掩模版層次 版圖文件 : GDSII,CIF格式 版圖設(shè)計(jì) 生成
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